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ディーカルテクノロジー(天津)有限公司
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MXYZモジュール化高温プローブ台

交渉可能更新01/17
モデル
製造者の性質
プロデューサー
製品カテゴリー
原産地
概要
MXYZモジュール化高温プローブ台の上蓋と底殻は真空引き可能な密封室を構成し、窒素ガスなどの保護ガスを充填することもでき、試料が負の温度で霜を結んだり、高温で酸化したりするのを防ぐことができる。
製品詳細

MXYZモジュール化高温プローブ台外部からプローブを移動して点針を行うことができる卓上型プローブ台であり、多型番、多温度範囲をカバーしている。同時に温度制御、プローブ電気試験、光学観察、サンプルガス環境制御を可能にする。プローブ台の上蓋と底殻は真空引き可能な密封室を構成し、窒素などの保護ガスを内部に充填して、サンプルが負の温度で霜を結んだり、高温で酸化したりするのを防止することができる。


MXYZモジュール化高温プローブ台機能特徴

mimi型温度制御プローブ台、各種光学機器に集積可能

RT ~ 1000℃をカバーするプログラム可能な温度制御

10 mm ~ 25 mmウェハとデバイスを適用

真空引き可能なキャビティ、保護ガスを入れて使用することもできます

デバイスの外部からプローブを移動して点針を行うことができる独立した4つのプローブ

温度制御器やコンピュータソフトウェアから制御でき、ソフトウェアSDKを提供できる

モジュラー設計、自由に組み合わせることができる

*8つの個別プローブにアップグレード可能

mimi型温度制御プローブ台、各種光学機器に集積可能

RT ~ 1000℃をカバーするプログラム可能な温度制御

10 mm ~ 25 mmウェハとデバイスを適用

真空引き可能なキャビティ、保護ガスを入れて使用することもできます

デバイスの外部からプローブを移動して点針を行うことができる独立した4つのプローブ

温度制御器やコンピュータソフトウェアから制御でき、ソフトウェアSDKを提供できる

モジュラー設計、自由に組み合わせることができる

温度制御パラメータ

温度範囲30℃~ 1000℃

加熱ブロック材質セラミックス

センサ/温度制御方式

最大昇温速度S/PID制御(LVDCノイズ低減電源を含む)

50℃/分

最小温度制御速度±0.1℃/min

温度分解能0.1℃

温度安定性±0.5℃

ソフトウェア機能は温度制御速度を設定でき、温度制御プログラムを設定でき、温度制御曲線を記録できる

電気パラメータ

プローブのデフォルトはレニウムタングステンマテリアルのベンドプローブです

プローブホルダが外部XYZから移動可能なプローブアーム

点針は外部から点針を移動し、各プローブホルダはサンプル領域上の任意の位置に点を付けることができる

プローブインタフェースのデフォルトはSMA継ぎ手からBNCへの変換

*キャビティ内配線柱の増設が可能(サンプル配線)

試料メサ電位はデフォルトでは電気接地であり、電気サスペンション(バック電極として)を選択可能、3同軸インタフェースを選択可能

光学パラメータ

適用光路反射光路

窓片の取り外し可能な窓片と交換可能な窓片

最小対物レンズ作動距離8/12 mm(オプション)*断面図におけるWD

上カバー窓シート観察窓シート範囲φ45 mm、最大画角±58°*断面図中θ1

負温下窓シート除霜ブロー除霜管路

構造パラメータ

適用サンプル25 mm*25 mm

サンプルキャビティの高さ4/8 mm(オプション)

プローブホルダが外部XYZから移動可能なプローブアーム

粗調整モード+微調整モード、XY粗調整20 mm

XY微調整ストローク10 mm、Z微調整3 mm

調整精度10 um

雰囲気制御真空チャンバ、保護ガス充填も可能

ケーシング冷却は、ケーシング温度が常温付近に維持されるように循環水を通すことができる

台体サイズ/重量300 mmx 300 mmx 40 mm/5 kg


構成リスト

基本配置真空型卓上プローブ台、mK 2000 B温度制御器

オプション部品取付ブラケット、液体窒素冷凍システム、ハウジング循環水冷システム、顕微鏡レンズ、防振テーブル、真空システム、テストソーステーブル、三同軸BNC、メサ電気懸濁、サンプル接電リード

典型的な用途

薄膜、二次元材料、ナノ材料及び分子/有機材料素子を特性評価するための電気特性試験

加熱ブロック表面の電気接地、同軸BNC接続口、三同軸BNC接続口を必要とする

タングステンレニウムプローブ、ベリリウム銅プローブまたはその他の材料を必要とするプローブの

外部から台体内プローブをXYZ移動する必要がある

ウエハ、半導体装置、集積回路、プリント基板、光起電力基板、LCD/LEDテスト

IVとCV特性、破壊電圧、漏れ電流、抵抗、誘電率、ダイオード効率を測定する

その他のオプションモデル

TP 102 V-MPS温度範囲-40℃~ 180℃、サンプル領域、40 mm*40 mm

HCP 421 V-MPS温度範囲-190℃~ 400℃、サンプル領域

Φ26mm

HCP 402 V-MPS温度範囲-190℃~ 400℃、サンプル領域50 mm*50 mm

HP 1000 V-MPS温度範囲35℃~ 1000℃、サンプル領域25 mm*25 mm、真空チャンバ