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アドレス
深セン市宝安区胤センタービルT 4棟2802室
ドイツウェルズナノシステム株式会社
概要
2600−PCT−xBパラメータ曲線トラッカーは、MOSFET、IGBT、ダイオード及びその他の大電力デバイスの開発及び使用のために、破壊電圧、オン状態電流及び容量などのパラメータの測定を含む包括的なデバイスレベル特性化を行う必要がある。吉時利（Keithley）の大電力パラメータ曲線追跡構成シリーズは、全タイプのデバイスと各種試験パラメータの特性化ニーズをサポートすることができる。
製品詳細
MOSFET、IGBT、ダイオードおよびその他の大電力デバイスを開発し、使用する場合は、破壊電圧、オン状態電流、容量などのパラメータの測定を含む包括的なデバイスレベルの特性評価が必要です。吉時利（Keithley）の大電力パラメータ曲線追跡構成シリーズは、全タイプのデバイスと各種試験パラメータの特性化ニーズをサポートすることができる。
吉時利のパラメータ曲線追跡構成には、エンジニアが完全なテストシステムを迅速に構築するために必要なすべてのハードウェアをキャラクタライズする必要があります。個別に注文する必要があるACSベース版ソフトウェアは、破壊電圧などの基本的なデバイスパラメータを迅速に検出するためのリアルタイム追跡モードと、正確なデバイスパラメータを抽出するための全パラメータモードとの包括的なデバイス特性化機能を実現することができる。
ACSベース版ソフトウェアは、従来のカーブトラッカーのインタフェース制限を超えて、豊富なサンプルライブラリを提供しています。さらに重要なことに、ユーザーはすべてのテストリソースを制御することができ、従来のカーブトラッカーで実現できるより高度なテストを作成することができます。
コア機能
・完全なソリューションは専門的に設計され、実現性の価格比
・フィールドのアップグレードと再配置をサポートパラメータ曲線トラッカー（PCT）を信頼性試験装置またはウェハ選別試験器に変換できる
・設定可能電力範囲：
–電圧：200 Vから3 kV
–電流：1 Aから100 A
・広いダイナミックレンジ：
–電圧：マイクロボルト（µV）からキロボルト（kV）まで
–電流：飛安（fA）から100 A
・全面的な容量–電圧（C-V）試験能力：
–容量：フライ（fF）からマイクロ（181 F）へ
-2端子、3端子、4端子デバイスをサポートする
–直流バイアスは最大3 kV
・高性能試験治具、多種のパッケージタイプに対応
・プローブテーブルインタフェースは、高圧三軸（HV triax）、超高圧同軸（SHV coax）、標準三軸、その他のタイプを含む多数のプローブタイプに対応している
吉時利のパラメータ曲線追跡構成は完全な特徴付けツールであり、パワーデバイスの特徴付けに必要な重要な要素を含む。測定チャネルは吉時利SourceMeter® ソース測定ユニット（SMU）計器及びオプションの多周波容量−電圧（C−V）計からなる。これらの機器のダイナミックレンジと精度は、従来のカーブトラッカーをはるかに超えています。
完全なシステムアセンブリ
高圧容量–電圧（C-V）
試験素子の容量は直流電圧の変化に伴いますます重要になってきている。吉時利はPCT-CVU多周波容量-電圧計を提供している。オプションの200 Vまたは3 kVバイアスT型コネクタと組み合わせて使用する場合、2端子、3端子、または4端子デバイスの容量電圧測定を行うことができます。測定可能な容量範囲はフライ（fF）〜100ナノ法（nF）であり、試験周波数は10 kHz〜2 MHzである。ACS基盤ソフトウェアは、MOSFETの入力容量（Ciss）、出力容量（Coss）、逆転送容量（Crss）、ゲートドレイン容量（Cgd）、ゲートソース容量（Cgs）、ドレインソース容量（Cds）、およびバイポーラ接合型トランジスタ（BJT）、ダイオードなどの他のデバイスに対する60種類以上の事前設定された容量−電圧テストを提供する。従来通り、ユーザーはACSベース版で独自のテストアルゴリズムを独自に開発することができます。
