炭化ケイ素SiC長結晶装置

炭化ケイ素SiC長結晶装置

高品質を実現することです炭化ケイ素結晶成長、高純度原料合成、高温結晶熱処理の専門設備。炭化ケイ素結晶成長、原料合成、結晶熱処理分野。6/8インチのインゴットを成長させることができます。

炭化ケイ素SiC長結晶装置

真空炉チャンバシステムは比較的に本底真空値が≦5.0 E-5 Paに達し、昇圧率≦3 Pa/12 h、結晶成長の安定性を保証する

・インテリジェント化成長及びモニタリングシステム、多種のプロセスの正確なカスタマイズ、プロセスの最適化、長結晶全プロセスのリアルタイムモニタリング、データの可視化アーカイブを実現する

・新型誘導加熱コイルの設計、有効に熱場加熱の均一性と安定性を高める
・業界内1 stによるPIM自己検査システム、有効減免プロセス時間の無駄
・安定で信頼性の高い水冷システムにより、水路を実現
・6インチP級炭化ケイ素基板、微小管の製造が可能欠陥密度＜0.5個／cm²、抵抗率0.015-0.0280