ICPプラズマエッチングマシンWINETCHは、科学研究及び企業の研究開発顧客の使用ニーズに向けて設計された高価格比ICPプラズマシステムである。多機能システムとして、最適化されたシステム設計と柔軟な配置案を通じて、高性能ICPエッチングプロセスを得る。この設備の構造はコンパクトで敷地面積が小さく、専門的な機械設計と最適化された自動化操作ソフトウェアはこの設備の操作を簡便、安全にし、しかもプロセスの安定した繰り返し性が良い。
ICPドライエッチングは一般的なマイクロナノ加工技術であり、その原理は高周波電場を利用してガスをイオン化し、プラズマを形成させ、その後プラズマを反応室に導入し、反応室内の化学反応を利用して材料を腐食または堆積することである。ICPドライエッチングでは、高周波電場の役割はガス分子をイオン化し、電子とイオンを形成することである。イオンは電場によって運動を加速させ、反応室内のガス分子と衝突し、プラズマを形成する。プラズマは高温、高エネルギーの特性を持ち、材料を高効率に加工することができる。ICPドライエッチングの特徴は、高精度、高速度、高均一度のエッチングを実現することができ、材料への損傷が小さく、マイクロ電子デバイス製造、光学デバイス加工などの分野でよく使われている。ただし、ICPドライエッチングを使用する場合は、材料に悪影響を与えないように適切なガス、電力、反応室温度などのパラメータを選択する必要があります。
ICPプラズマエッチングマシンWINETCH科学研究及び企業の研究開発顧客の使用ニーズに向けて設計された高価格比ICPプラズマシステムである。多機能システムとして、最適化されたシステム設計と柔軟な配置案を通じて、高性能ICPエッチングプロセスを得る。この設備の構造はコンパクトで敷地面積が小さく、専門的な機械設計と最適化された自動化操作ソフトウェアはこの設備の操作を簡便、安全にし、しかもプロセスの安定した繰り返し性が良い。
ICPプラズマエッチングマシンWINETCH製品の特徴:
●4/6/8インチ互換、モノリシックウエハ真空伝送システム
●低コストで信頼性が高く、研究開発及び小規模生産に適している
●設備構造が簡単で、外形が小さい
●操作が簡便で、自動制御が便利で、大面積基板エッチングに適している
●優れたエッチング均一性、エッチング速度が速い
・半導体規格を満たすレシピ駆動・管理ソフトウェア制御システム
●選択比が高く、異方性が高く、エッチング損傷が小さい
●断面輪郭の制御性が高く、エッチング表面が平らで滑らかである
ICPプラズマエッチングマシン技術パラメータ:
ウェハサイズ:4/6/8インチ対応
適用プロセス:プラズマエッチング
適用材料:SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy、etc.
適用分野:化合物半導体、MEMS、パワーデバイス、科学研究などの分野