CCPプラズマエッチングマシン(Plasma Etcher)は、半導体デバイス、光学素子、バイオチップなどの材料を精密加工し、パターン定義するためのマイクロナノ加工分野でよく使用される装置である。その原理はプラズマ技術に基づいており、ガスを放電することでプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンとラジカルを利用して材料表面に化学反応と物理エッチングを行う。
CCPプラズマエッチングマシン(Plasma Etcher)は、半導体デバイス、光学素子、バイオチップなどの材料を精密加工し、パターン定義するためのマイクロナノ加工分野でよく使用される装置である。その原理はプラズマ技術に基づいており、ガスを放電することでプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンとラジカルを利用して材料表面に化学反応と物理エッチングを行う。動作原理:
1.フッ素化ガスなどのガスを反応室に導入し、無線周波数(RF)電力源やマイクロ波源などの方法でガスを放電する。放電中に発生した電場とエネルギーはガス分子を励起し、プラズマを形成する。
2.ガス分子はイオン、電子、ラジカルなどの活性種に励起される。これらの活性種は、フッ素化、酸化、シリサイド化などの材料表面に化学反応を起こし、表面化学特性を変化させる。
3.イオン及びラジカルは材料表面にエネルギーを印加し、材料表面の原子又は分子の除去をもたらす。この物理エッチングプロセスにより、材料表面が徐々にはく離され、材料の微細加工とパターン定義が実現される。
4.ガス種、放電電力、反応室圧力などのパラメータを制御することにより、異なる材料への選択的エッチングを実現することができる。例えば、シリコン、窒化シリコン、酸化シリコンなどの材料の選択的エッチングを実現することができる。
5.通常、エッチングプロセスの安定性と制御性を確保するために、真空システム、温度制御システム、ガス流制御システムなどの補助機能も搭載されている。
CCPプラズマエッチング機WINETCHは科学研究及び企業の研究開発顧客の使用ニーズに向けて設計された高価格比CCPプラズマシステムである。多機能システムとして、最適化されたシステム設計と柔軟な配置案を通じて、高性能CCPエッチングプロセスを得る。この設備の構造はコンパクトで敷地面積が小さく、業界の機械設計と最適化された自動化操作ソフトウェアはこの設備の操作を簡便、安全にし、しかも技術の安定した繰り返し性が良い。
CCPエッチングは一般的なマイクロナノ加工技術であり、半導体デバイス製造、光学デバイス製造、バイオチップ製造などの分野に広く応用されている。その原理は高周波交流電場を利用してプラズマを発生させ、プラズマの作用の下で材料表面を化学反応と物理衝突させ、それによって材料へのエッチングを実現することである。
CCPプラズマエッチングマシンWINETCHエッチングシステムは容量結合(CCP)方式によって高密度プラズマを生成し、マスク(例えばフォトレジストマスク)パターンによって、誘電体材料(例えば酸化ケイ素SiO 2、窒化ケイ素SiNxなど)の選択的エッチングを実現する。
CCPシステムは主に以下のいくつかの部分から構成される:反応チャンバ、下電、シャワーヘッド(上電)、無線周波電源、真空システム、予備真空室、ガス回路システム、制御システムとソフトウェア、付属品など。
WINETCHプラズマエッチングマシン製品の特徴:
-エッチング形態が良く、プロセス性能*
-高選択比、高エッチング速度
-低所有コストと消費コスト
WINETCHプラズマエッチングマシン技術パラメータ:
ウェハサイズ:6/8インチ互換
適用プロセス:プラズマエッチング
適用材料:SiO 2、Si 3 N 4、etc.適用領域:化合物半導体、MEMS、パワーデバイス、科学研究などの分野