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p+f传感器NBN8-12GM50-E2-V1

交渉可能更新05/12
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概要

p+f传感器NBN8-12GM50-E2-V1$r$NBB1.5-8GM40-Z0,NBB1.5-80GM40-WO,NBB1.5-8GM40-WS。NBB1.5-8GM40-E0,NBB15-8GM40-E2,NJ1.5-8GM50-E0,

製品詳細

p+fセンサNBN 8-12 GM 50-E 2-V 1

一、コア技術パラメータ(負荷重要パラメータを含む)
電圧:110-24 V DCワイド電圧入力、高低圧電力供給に対応し、負荷適合のために柔軟な電圧基礎を提供する
電流:≤30 mA動作電流、300 mA瞬時耐電流(負荷ピーク電流は≤300 mA必要)、持続負荷電流は≤100 mAを提案し、過負荷を避ける
負荷タイプ:直流性負荷(例えば小型リレー、電磁弁)と抵抗性負荷(例えばランプ、PLC入力モジュール)に適合し、直接大電力モータを駆動することを提案しない
誘導距離:≤8 mm(強磁性金属)、検出精度は通常負荷の変化に従って減衰しない
保護等級:IP 67、負荷配線領域の密封保護、湿潤多塵環境に適合
出力形式:NPN常開三線方式、負荷は信号端(黒線)と負極(青色線)の間に接続し、完全な回路を形成する必要がある
二、負荷適合詳細と配線取付
PLC入力モジュールに適合する場合、PLC入力インピーダンス(推奨≧1 kΩ)に注意し、静的電流の過大による誤トリガを防止する必要がある
配線の要点:茶色線は電源の正極に接続し、青色線は電源の負極と負荷の一端に接続し、黒色線は負荷の他端に接続する、負荷配線端子は圧着がしっかりしていなければならず、ストリップ長さは5-6 mmであり、虚接合による負荷電力供給の不安定性を回避する。感受性負荷(リレーなど)の両端には、逆起電力によるスイッチ破壊を抑制するための並列接続ダイオードを提案する
取り付けと負荷関連:M 12ネジでスイッチを固定し、取り付け位置は負荷による強い電磁干渉(例えば大電力リレーコイル)から離れ、検出信号が負荷モードの影響を受けないことを確保する

p+fセンサNBN 8-12 GM 50-E 2-V 1

NBN8-18GM60-A0-V1
NBN8-18GM60-A2
NBN8-18GM60-A2-V1
NBN8-18GM60-WO
NBN8-18GM60-WS
NBN12-18GM35-E2-V1
NBN12-18GM50-A2
NBN12-18GM50-E0
NBN8-12GM50-E2-V1
NBN8-18GK-WO
NBN8-18GK-WS
NBN8-18GM40-E3-V1
NBN8-18GM40-Z0
NBN8-18GM40-Z0-V1
NBN8-18GM40-Z3-V1
NBN8-18GK50-A2
NBN8-18GK50-A2-15