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VTC-1 HD-ZF 2高真空マグネトロンスパッタリング蒸着めっき装置

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概要
VTC-1 HD-ZF 2高真空マグネトロンスパッタリング蒸発めっき装置は多機能高真空めっき装置であり、単層または多層強誘電体薄膜、導電性薄膜、合金薄膜、半導体薄膜、セラミック薄膜、誘電体薄膜、光学薄膜、酸化物薄膜、硬質薄膜、ポリテトラフルオロエチレン薄膜などの製造に用いることができる。
製品詳細
製品紹介VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪

VTC-1 HD-ZF 2高真空マグネトロンスパッタリング蒸発めっき装置は多機能高真空めっき装置であり、単層または多層強誘電体薄膜、導電性薄膜、合金薄膜、半導体薄膜、セラミック薄膜、誘電体薄膜、光学薄膜、酸化物薄膜、硬質薄膜、ポリテトラフルオロエチレン薄膜などの製造に用いることができる。

本機には蒸着加熱ボートを1つ設置し、特に酸素に敏感な金属膜(Ti、Al、Auなど)を蒸着するのに適しており、加熱ボートの上に回転可能なバッフルがあり、2本のビーム源炉ステーション(標準1本のビーム源炉)、1群流量計(アルゴンガス1群)φ150ガラス観察窓付き。

技術仕様VTC-1HD-ZF2高真空磁控溅射蒸发镀膜仪

製品名

VTC-1 HD-ZF 2高真空マグネトロンスパッタリング蒸着めっき装置

製品型番

VTC-1HD-ZF2型

主なパラメータ

1、真空室:φ324 X 330

限界真空6.0 X 10-4 Pa(国産FF-150リットルターボ分子ポンプ+機械ポンプ採用)

漏れ率:2.0 x 10-10 Pa.m 3/s

材料は304ステンレス鋼溶接、電気化学表面研磨処理である。

可動部シールはゴムシールリングを用い、非可動部シールは銅シールリングシールを用いた。

動力伝達は磁気結合連動方式を採用している。

真空チャンバの1つのマグネトロンターゲット位置、1組の蒸発電極(2本)、2本のビーム源炉ステーション(1本のビーム源炉を標準装備)。

1組流量計(アルゴンガス1組)φ150ガラス観察窓付き、C 35フランジインタフェースも予約した。

2、スパッタターゲット:2インチ(φ50.8 mm)

動作真空度:10 Pa ~ 0.2 Pa

ターゲット利用率:>35%(標準3 mm銅ターゲット、ターゲット面真空度0.5 Pa)

MAX功率: <240W(完全冷却)

絶縁電圧:>2000 V(付属500 W直流電源1個)

3、抵抗蒸発:

蒸発出力電圧:AC 0-8 V連続調整可能

限界蒸発電流200 A

限界蒸発電力<1.6 KW

温度は制御できず、測定できない。

4、ビーム源炉:るつぼ容量:3 CC

加熱温度:室温-700°C

加熱温度は測定可能、調整可能、制御可能である。

温度制御精度:±0.5°C

標準的に石英るつぼを配置し、バッフル、熱電対を持つ。

電源電力:500 W、36 V

5、サンプル台:φ120

温度制御:室温-500°C

回転数:1~20 rpm

サンプル台は手動で昇降でき、調整可能ストローク上限:50 mm

6、EQ-TM 106-1膜厚計

1)電源:DC 5 V(±10%)、MAX電流400 mA

2)周波数分解能:±0.03 Hz

3)膜厚分解能:0.0136Å(アルミニウム)

4)膜厚精度:±0.5%、プロセス条件、特にセンサの位置、材料応力、温度、密度に依存する。

5)測定速度:100 ms-1 s/回、設定可能

6)測定範囲:500000Å(アルミニウム)

7)標準センサ結晶:6 MHz

8)コンピュータインタフェース:RS-232/485シリアルインタフェース(ボーレート1200、2400、4800、9600、19200、38400設定可能、データビット:8、ストップビット:1、チェック:なし)

9)アナログ出力:8ビット分解能、PWMパルス幅変調出力(コレクタ開放または内部5 V出力)

10)作業環境:温度0-50℃、湿度5%-85%RH、凝縮水滴があってはならない

11)外形寸法:90 mm×50 mm×18 mm

7、設備標準配置冷水ユニット1台(KJ 5000型)、お客様は冷水機及び脱イオン水或いは純水を持参する。

8、機械全体の電源入力:AC 220 V/50 Hz。出力は3.5 KW未満です。

9、製品規格:

サイズ:約1300 mm×660 mm×1200 mm、重量:約160 kg