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アドレス
上海市松江区茸北路88号5号棟208室
上海増駿実業有限公司
概要
IVパラメータ（破壊電圧とオン抵抗）、三端子FET容量、ゲート電荷と電力損失を含む、異なる動作条件におけるデバイスのすべての関連パラメータを評価することができる。回路設計に使用されるTH 521シリーズ半導体パラメータ解析器は、完全な曲線追跡器機能及びその他の機能を有する。
製品詳細
TH 521半導体パラメータアナライザ紹介：
はんどうたいパラメトリックアナライザTH521-35-1800C電気電子回路設計者が自分の応用に適した電力デバイスを選択し、その電力電子製品を発揮させるための回路設計のための総合的なソリューションである*大きな価値。異なる動作条件におけるデバイスのすべての関連パラメータを評価することができます。四、参数（击穿电压和导通电阻）、三端でんかいこうかトランジスタ容量、ゲート電荷、電力損失。回路設計用TH521シリーズ半導体パラメータ分析器は完全な曲線追跡器機能及びその他の機能を有する。
はんどうたいパラメトリックアナライザTH521-35-1800Cの詳細
TH521シリーズ半導体パラメータアナライザの概要：
TH 521シリーズ半導体パラメータ分析計は回路設計のための総合的なソリューションであり、電力電子回路設計者が自分の応用に適した電力デバイスを選択し、その電力電子製品を発揮させるのに役立つ*異なる動作条件におけるデバイスのすべての関連パラメータを評価することができます。四、パラメータ（破壊電圧とオン抵抗）、三端でんかいこうかトランジスタ容量、ゲート電荷、電力損失。回路設計用TH521シリーズ半導体パラメータ分析器は完全な曲線追跡器機能及びその他の機能を有する。
TH521シリーズ半導体パラメータアナライザの特性：
TH521の一般的な特性
• ガンダム3.5kV/1800Aの広い作業範囲
• から -50 °Cへ +250 °Cの全自動高速熱試験
• パワーデバイス（半導体および部品）の技術データを自動的に作成する
• 自動記録機能によりデータ損失を防止
• 人工知能二次オーサリングpythonテストスクリプト
TH 521四スイートのプロパティ
• パッケージとウェハ上のデバイスの全自動高速化が可能IV測定 （ロン、BV、漏れ、しきい値電圧、Vsatなど）
• 狭いIVパルス幅（*狭い 10 μs）デバイスの自己発熱を防止でき、デバイスの実試験をより正確に行うことができる インタフェース性能
• オシロスコープビュー（時間領域ビュー）は実際の電圧を監視することができる/準電流パルス波形 かくにんそくりょう
• 構成は柔軟に拡張でき、追加できるCV和軍需主任、電流範囲を20 A拡張＃カクチョウ＃200A、600 Aまたは1800 A
TH521スイートの完全な機能
• IVスイートのすべてのプロパティ
• 測定パッケージデバイスは、3.5キロボルト時のトランジスタ入出力逆転送容量
（にゅうりょくキャパシタンス、Coss、りんかいぶんせつおうりょく、西、Coes、クレス）及びゲート抵抗（Rg）
• パッケージデバイスのゲート電荷を測定する（軍需主任）曲線
•
TH521シリーズ半導体パラメータアナライザ技術パラメータ：
測定ユニット | |||
電圧範囲、分解能、精度 | |||
でんあつレンジ |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+ミリボルト+ミリボルト） |
*大電流 |
200mV |
100nV |
±（0.06+0.14+Io x 0.05） |
1A |
2V |
1μ五、 |
±（0.06+0.6+Iox0.5） |
1A |
20V |
10μ五、 |
±（0.06+3+Iox5） |
1A |
40V |
40μ五、 |
±（0.06+3+Iox10） |
1A |
電流範囲、分解能、精度 |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+A+A） |
*高電圧 |
10μA. |
10ミリアンペア |
±（0.06+1E-8+Vo x 1E-10） |
30V |
100μA. |
100pA |
±（0.06+2E-8+Vo x 1E-9） |
30V |
1mA |
1nA |
±（0.06+2E-7+Vo x 1E-8） |
30V |
10mA |
10nA |
±（0.06+2E-6+Vo x 1E-7） |
30V |
100mA |
100nA |
±（0.06+2E-5+Vo x 1E-6） |
30V |
1A |
1uA |
±（0.4+2E-4+Vo x 1E-5） |
30V |
6½ビット |
|||
*大電圧 |
±30V |
||
*しょうでんりゅう |
10ミリアンペア |
||
パルス* |
5%（ピーク超過100mA時） |
||
パルス*小幅 |
10μs |
||
パルス*大きな幅 |
100ミリ秒（ピーク超過100mA時） |
||
直流*大電流 |
±100mA |
||
パルス*大ピーク |
±1A |
||
パルス*だいきち |
±50mA（ピーク超過100mA時） |
||
HCSMU | |||
電圧範囲、分解能、精度 | |||
でんあつレンジ |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+ミリボルト+ミリボルト） |
*大電流 |
200mV |
100nV |
±（0.06+0.6+Iox0.05） |
20A |
2V |
1μ五、 |
±（0.06+0.6+Iox0.5） |
20A |
20V |
10μ五、 |
±（0.06+3+Iox5） |
20A |
40V |
40μ五、 |
±（0.06+3+Iox10） |
1A |
電流範囲、分解能、精度 |
出力/解像度の測定 |
出力/%+A+A） |
*高電圧 |
10μA. |
10ミリアンペア |
±（0.06+1E-8+Vo x 1E-10） |
40V |
100μA. |
100pA |
±（0.06+2E-8+Vo x 1E-9） |
40V |
1mA |
1nA |
±（0.06+2E-7+Vo x 1E-8） |
40V |
10mA |
10nA |
±（0.06+2E-6+Vo x 1E-7） |
40V |
100mA |
100nA |
±（0.06+2E-5+Vo x 1E-6） |
40V |
1A |
1μA. |
±（0.4+2E-4+Vo x 1E-5） |
40V |
20A |
20μA. |
±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4） |
20V |
典型的な解像度 |
6½ビット |
||
*大電圧 |
±40V |
||
*しょうでんりゅう |
10ミリアンペア |
||
パルス*大デューティ比 |
1%（ピーク超過1A時） |
||
パルス*小幅 |
50μs |
||
パルス*大きな幅 |
千分の一秒（ピーク超過1A時） |
||
直流*大電流 |
±100mA |
||
パルス* |
±20A |
||
パルス*だいきち |
±100mA（ピーク超過1A時） |
||
MPSMU | |||
電圧範囲、分解能、精度 | |||
でんあつレンジ |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+ミリボルト+ミリボルト） |
*大電流 |
100mV |
100nV |
±（0.06+0.14+Io x 0.05） |
100mA |
1V |
1μ五、 |
±（0.06+0.6+Iox0.5） |
100mA |
10V |
10μ五、 |
±（0.06+3+Iox5） |
100mA |
100V |
100μ五、 |
±（0.012+2.5+Iox10） |
20mA(≥40V） 50mA(≤40V） |
電流範囲、分解能、精度 |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+A+A） |
*高電圧 |
1nA |
1fA |
±（0.1+2E-13+Vo x 1E-15） |
100V |
10nA |
10fA |
±（0.1+1E-12+Vo x 1E-14） |
100V |
100nA |
100fA |
±(0.05 + 2E-11 + 伏す x 1E-13） |
100V |
1μA. |
1pA |
±（0.05+1E-10+Vo x 1E-12） |
100V |
10μA. |
10ミリアンペア |
±（0.04+2E-9+Vo x 1E-11） |
100V |
100μA. |
100pA |
±（0.03+3E-9+Vo x 1E-10） |
100V |
1mA |
1nA |
±（0.03+6E-8+Vo x 1E-9） |
100V |
10mA |
10nA |
±（0.03+2E-7+Vo x 1E-8） |
100V |
100mA |
100nA |
±（0.04+6E-6+Vo x 1E-7） |
20V |
典型的な解像度 |
6½ビット |
||
*大電圧 |
±100V |
||
*しょうでんりゅう |
1fA |
||
HVSMU の | |||
電圧範囲、分解能、精度 | |||
でんあつレンジ |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度±（%+mV） |
*大電流 |
200V |
200uV |
±(0.03+40) |
10mA |
500V |
500uV |
±(0.03+100) |
10mA |
1500V |
1.5mV |
±(0.03+300) |
10mA |
3500V |
3.5mV |
±(0.03+600) |
5mA |
電流範囲、分解能、精度 |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+A+A） |
*高電圧 |
10nA |
10fA |
±（0.1+1E-9+Vo x 8E-12） |
3500V |
1μA. |
1pA |
±（0.05+1E-9+Vo x 8E-12） |
3500V |
100μA. |
100pA |
±（0.03+3E-9+Vo x 1E-11） |
3500V |
10mA |
10nA |
±（0.03+2E-7+Vo x 1E-9） |
1750V |
典型的な解像度 |
6½ビット |
||
*大電圧 |
±3500V |
||
*しょうでんりゅう |
10fA |
||
UHCU | ||
電圧範囲、分解能、精度 | ||
でんあつレンジ |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度±（%+mV） |
60V |
100μ五、 |
±(0.2+10) |
電流範囲、分解能、精度 |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+A+A） |
200A |
200μA. |
±（0.6+0.3+0.01*Vo） |
600A |
500μA. |
±（0.6+0.3+0.01*Vo） |
1800A |
2mA |
±（0.8+0.9+0.02*Vo） |
パルス*大デューティ比 |
0.4%（600Aレンジ）、0.1%（1800A測定範囲） |
|
パルス*小幅 |
10μs |
|
パルス*大きな幅 |
千分の一秒（600Aレンジ）、500μs（1800A測定範囲） |
|
パルス*大ピーク |
200A、600A、1800A測定範囲 |
|
MFCMU | ||
|
頻度 |
しゅうはすうはんい |
1kHz～10MHz |
*小周波数分解能 |
1mHz |
|
しゅうはすうせいど |
±0.05% |
|
|
こうりゅうでんきレベルレベル |
レベルレンジ |
0~250mV |
解像度 |
0.1mVrms |
|
精度 |
±(10%*設定値+2mV） |
|
|
直流オフセット |
範囲 |
0~±25V |
解像度 |
1mV |
|
せいど |
1%*+8mV |
|
出力インピーダンス |
100Ω |
|
テスト側構成 |
よんたんしつい |
|
テスト時間 |
速い2.5ms中速（ちゅうそく）90ミリ秒スロー220ミリ秒 |
|
コンコンデンサ |
表示範囲 |
0.00001華氏度~ 9.99999華氏度 |
*高精度 |
0.05% |
|
TH521系列半导体参数分析仪选型表：
第521-35-20ページ |
IV： 3500V/20A |
TH521-35-20C |
IV： 3500V/20A，CV:10MHz，Qg |
IV： 3500V/200A |
|
TH521-35-200C |
IV： 3500V/200A，CV:10MHz，Qg |
TH521-35-600 |
IV： 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV： 3500V/600A，CV:10MHz，Qg |
電話521-35-1800 |
IV： 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV： 3500V/1800A，CV:10MHz，Qg |
TH521シリーズ半導体パラメータ分析器の応用：
• 半導体パワーデバイス
ダイオード、三極管、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、サイリスタ、集積回路、光電子チップなどの寄生容量試験、履歴書とくせいかいせき
• 半導体材料
ウェハ切断、履歴書とくせいかいせき
• 液晶材料
弾性定数解析、液晶切断
• キャパシタンスモジュール
コンデンサ履歴書特性試験及び分析、容量式センサ試験分析
