分光干渉式ウェハ膜厚計

ネゴシエーション可能更新05/07

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概要

分光干渉式ウェハ膜厚測定器$r$n研磨プロセス中のWAFER基板の膜厚ガラス基板の薄肉プロセス中の厚さ変化（強酸環境中）を即時に検出する製品特色非接触式、非破壊光学式膜厚検出分光干渉法を用いて高度な検出再現性を実現する

製品詳細

分光干渉式ウェハ膜厚計

研磨プロセス中のWAFER基板の膜厚ガラス基板の膜厚変化（強酸環境中）を即時に検出製品の特色ある非接触式、非破壊光学式膜厚検出分光干渉法を用いて高度な検出再現性を実現

製品の特徴

●非接触式、非破壊光学式膜厚検出
●分光干渉法による高度検出再現性の実現
●高速な即時研磨検出が可能
●保護膜、展望窓などの中間層を通り抜けることができる検査
●長作動距離に対応でき、ラインや設備への取り付けが容易
●小型、省スペース、設備設置が容易
・線上検出に対応可能な外部信号トリガ要件
・膜厚検出に適した独自の解析演算法を採用する。
●自動で膜厚分布の製図ができる（オプション項目）

仕様仕様

モデル	SF-3/200	SF-3/300	SF-3/800	SF-3/1300
サイズ	123（幅）x 224（奥行き）x 128（高さ）mm
シリコンウェハ測定厚さ範囲	6~400μm	10~775μm	20~1000μm	50~1300μm
樹脂厚さ範囲	10~1000μm	20~1500μm	40~2000μm	100～2600μm
最小サンプリング期間	5 kHz（200マイクロ秒）
くりかえしせいど	0.01%以下（*1）
スポット直径の測定	φ20μm以上（*2）
距離を測る	50、80、120、150、200mm
光源	半導体光源（レーザーClass 3 B）
解析方法	FFT分析法
インターーフェース	LAN、I/Oポート
電源	DC 24 V（AC電源は別途購入必要）
オプション	複数種類の試験距離スリーブ、電源ユニット（AC用）、AL基準、試験光検出基準の、光ファイバクリーナ

*1：初期標準サンプルの約1000μmエアギャップ測定時の相対標準偏差（n＝20）

*2：WD 80 mmプローブ仕様時の設計値

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