大型卓上熱原子層堆積システムALD

熱原子層堆積技術、面積達成可能37平方センチメートル

だいすんぽう卓上熱原子層堆積システム

・37平方センチメートル平板用アルミニウムキャビティ（第2世代タイプ）

・8枚の6インチウェハまたは4枚の8インチウェハに適しており、均一性に優れている（他のウェハサイズはカスタマイズ可能）

・4ポート加熱可能な前駆体管路（カスタマイズ可能）

·内蔵高出力コイルヒータを用いてチャンバ加熱を行い、最高温度は275°Cに達することができる

・直接制御と遠隔ノート制御機能を一体化したPLC/ヒューマンインタフェースシステム

・MFC付き高速応答情性ガスパージ流量制御装置を採用し、集積チャンバ遮断弁は高露光（静）成長モードオプションに適用できる

・すべてのハードウェアとソフトウェアがSemi-S 2およびNFP-79ガイドラインに準拠している

・Semi S 2準拠

・低速真空引きオプションの追加

・リアルタイムフィードバックとパルス周期制御機能を有するオプションの前駆体温度監視

・液晶ディスプレイ付き可燃性ガスタンクを選択可能で重量追跡源

ALDデバイスの動作原理

原子層堆積（ALD）システムは、前駆体源及びその反応体バルブ、温度制御プラットフォーム（又は治具）を有する反応チャンバ、不活性ガス及び真空システム（又はパージシステム）のいくつかのコアコンポーネントから構成される。このプロセスでは、前駆体と反応物の導入が交互に行われ、毎回1つだけ導入され、その間にパージステップがある。これにより、前駆体が気相中で反応することを防止し、表面特定の反応のみを確実に行うことができる。その結果、サイクルごとに単分子堆積が形成され、原子スケールで薄膜成長の制御が実現された。この反応は自己制限性があり、これは前駆体が表面と反応し、利用可能な活性部位（酸化物、ヒドロキシル基などに対して）を充填すると、反応はこれ以上進行できないことを意味する。

アンリック・テクノロジー社開発したデスクトップ原子層堆積システムは操作が簡便でメンテナンスが容易で、優れた放熱管理機能、カスタマイズ可能なプラズマ源及びソフトウェア駆動の自動化機能を備え、熱増強型とプラズマ増強型原子層堆積技術をサポートすることができる。これらのツールは、グローブボックスと互換性のある実験台装置から完全な12インチウェハシステムまで拡張性があり、最高のプロセス安定性、使いやすさを実現し、さまざまな実験室環境に溶け込むように設計されています。

応用分野

アンリック・テクノロジー社ALD技術は次世代半導体、エネルギー貯蔵装置、光電子デバイス及び生体適合性材料の発展の重要な基礎である。ナノ構造を均一に被覆することができる特性は、次の分野で重要である：

·ゲート誘電体層及びバリア層のためのマイクロエレクトロニクス及びマイクロエレクトロニクスシステム技術

·電極及び電解質コーティング用の固体電池及びスーパーコンデンサ

·ラスタ、レンズ、フォトン構造上の光学コーティング

·原子層堆積技術が制御可能な表面改質を実現する触媒作用と燃料電池の開発

·耐食性で生体不活性な薄膜を有する生物医学機器が必要である

·分解性材料の表面不動態化とパッケージ処理

この業界がより小さく、より速く、より効率的な設備の方向に発展するにつれて、原子層堆積技術の重要性も日増しに増加している。

お客様の事例

*100社以上のユーザー、複数のリピート購入ユーザー：

ハーバード大学

9826ヘルシンキ大学（Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen）

♢汎林集団（LAM）（6台以上）

オックスフォード大学（2台以上、Prof Sebastian Bonilla）

国立材料科学研究所（日本、複数台）

東京大学（複数台）

■早稲田大学（複数台）

♢ノースウェスタン大学（米国）

ケンブリッジ大学（イギリス）

カレス大学

イギリス領コロンビア大学（カナダ）

♢ENS-Paris（フランス、高等師範大学）

♢ 北京量子研究院

北京大学

ブリストル大学（英国）

シェフィールド大学など

リピート購入のお客様の具体的な用途

1.早稲田大学（Waseda University）（日本東京）-センサ、表面改質、ナノインプリントリソグラフィ、*スルーホール製造（AIST）–日本茨城県

2.早稲田大学（Waseda University）（日本東京）–システム#2、類似したアプリケーション。神奈川県横浜国立大学（Yokohama National University）

3.国立材料科学研究所（NIMS）#1（茨城県）-表面とフィルム中のフォノン、原子スケールの低次元等化要素学、ナノ材料中のスピン軌道分裂

4.国立材料科学研究所（NIMS）＃2（茨城県）-カーボンナノチューブにおけるスピン関連輸送、ナノギャップ製造と分子輸送、グラフェン中のバンドギャップ工程、ゆうきトランジスタ

5.プライベートカンパニー（Private Company）（米オレー州ポートランド）−TEMサンプル製造；HfO2, Al2O3, Ta2O5

6.Precision TEM（米国カリフォルニア州サンタクララ）-TEMサンプルの製造；HfO2, Al2O3

7.プライベートカンパニーTK（Private Company TK）（宮城県）-TEMサンプル製造

8.プライベートカンパニー（Private Company）（米オレー州ポートランド）−TEMサンプル製造；HfO2, Al2O3, Ta2O5

9.東京大学（University of Tokyo）（日本）–*ALDプロセス

10.東京大学（University of Tokyo）–日本東京–Dr.Onaya

11.汎林グループ（LAM Research）–米オレンジ・トゥワラテン（Tualatin）

12.汎林グループ（LAM）システム＃2–米国オレンジ・トゥワラテン

13.汎林グループ（LAM）システム#3–米国オレンジ・トゥワラテン

14.オックスフォード大学（University of Oxford）–英国オックスフォード-Prof Sebastian Bonilla

15.徳島大学（Tokushima University）（日本）

16.ヘルシンキ大学（University of Helsinki）（フィンランド）Professor Mikko Ritala and Matti Putkonen

17.アプリケーション材料会社（AMAT-Applied Materials）–米国

18.オックスフォード大学（University of Oxford）（英オックスフォード）