集束イオンビームと走査電子顕微鏡-FIB-SEM

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概要

蔡司Crossbeamは電界放出走査電子顕微鏡（FE−SEM）鏡筒の強力なイメージングと分析性能を次世代集束イオンビーム（FIB）の優れた加工能力と結合した。Crossbeamシリーズは、カット、イメージング、または3 D分析にかかわらず、アプリケーション体験を大幅に向上させます。

製品詳細

高スループット専用3D分析とサンプル調製量体によるFIB-SEM蔡司Crossbeamは電界放出走査電子顕微鏡（FE−SEM）鏡筒の強力なイメージングと分析性能を次世代集束イオンビーム（FIB）の優れた加工能力と結合した。Crossbeamシリーズは、カット、イメージング、または3 D分析にかかわらず、アプリケーション体験を大幅に向上させます。Gemini電子光学系を使用すると、走査電子顕微鏡（SEM）画像から実際のサンプル情報を取得することができます。Ion-sculptor FIB鏡筒は新しいFIB加工方法を導入し、サンプル損傷を減少させ、サンプル品質を向上させ、実験プロセスを加速させることができる。

科学研究機関や工業実験室、シングルユーザー実験室、マルチユーザー実験プラットフォームに使用しても、高品質で影響力のある実験結果を得たい場合は、蔡司Crossbeamのモジュール化プラットフォーム設計により、自分のニーズの変化に応じて、いつでも機器システムをアップグレードすることができます。

技術パラメータ：

	蔡司Crossbeam 350	蔡司Crossbeam 550
走査電子顕微鏡（SEM）	Gemini I鏡筒	Gemini II鏡筒
	可変気圧オプション	オプションのTandem decel
	ビームフロー：5 pA-100 nA	ビームフロー：10 pA-100 nA
しゅうそくイオンビーム（FIB）	分解能：3 nm@30 kV（統計方法）	分解能：3 nm@30 kV（統計方法）
しゅうそくイオンビーム（FIB）	解像度：120 nm@1 kV&10 pA（オプション）	分解能：120 nm@1 kV&10 pA
プローブ	Inlens SE、Inlens EsB、VPSE（可変圧力二次電子検出器）、SESI（二次電子二次イオン検出器）、aSTEM（走査透過電子検出器）、aBSD（後方散乱検出器）	Inlens SE、Inlens EsB、ETD（Everhard-Thornley検出器）、SESI（二次電子二次イオン検出器）、aSTEM（走査透過電子検出器）、aBSD（後方散乱検出器）、CL（カソード蛍光検出器）
サンプルビンの仕様とポート	標準サンプルビンには18個の構成可能なインタフェースが装備されている	標準サンプルボックスには18個の配置可能インタフェース/大サンプルボックスには22個の配置可能インタフェースが付いている
ステージ	X/Y = 100 mm	X/Y = 100 mm / X/Y = 153 mm
	Z = 50 mm、Z' = 13 mm	Z = 50 mm、Z' = 13 mm / Z = 50 mm、Z' = 20 mm
	T＝−4°〜70°、R＝360°	T＝−4°〜70°、R＝360°／T＝−15°〜70°、R＝360°
でんかせいぎょ	ビームガン	ビームガン
	局所電荷中和器	局所電荷中和器
	かへんあつりょく	-
ガス	単一チャネルガス注入システム：Pt、C、SiOx、W、H 2 O	単一チャネルガス注入システム：Pt、C、SiOx、W、H 2 O
ガス	多チャンネルガス注入システム：Pt、C、W、Au、H 2 O、SiOX、XeF 2	多チャンネルガス注入システム：Pt、C、W、Au、H 2 O、SiOX、XeF 2
ストレージ解像度	32 k×24 k（オプションのATLAS 5 3 D断層スキャンモジュールを使用して、最大50 k×40 k）	32 k×24 k（オプションのATLAS 5 3 D断層スキャンモジュールを使用して、最大50 k×40 k）
オプションの分析添付ファイル	EDS、EBSD、WDS、SIMS，必要に応じてオプションを追加することもできます	EDS、EBSD、WDS、SIMS，必要に応じてオプションを追加することもできます
優位	可変圧力モード及び広範なその場実験を採用することにより、サンプルの互換性を大幅に拡大することができる。	高フラックスで分析とイメージングを完了し、さまざまな条件で高解像度を得ることができます。

聚焦离子束和扫描电子显微镜 – FIB-SEM

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