ウェハボンディングマシン

交渉可能更新05/08

モデル

製造者の性質: プロデューサー

製品カテゴリー

原産地

オンラインコンサルト

概要

ウエハ結合機はSOI、MEMS、化合物半導体と先進基板が結合する低温プラズマ活性化システムに適している、技術データ：EVG 810 LT LowTempamp;amp;trade;プラズマ活性化システムは、手動操作を有する単一キャビティ独立ユニットである。処理室は、ヘテロ処理を可能にする（ウェハは1つずつ活性化され、プラズマ活性化室の外部に結合される）。

製品詳細

ガロン当たり850リットル

SOIと直接ウェハ結合の自動生産結合システム

EVG 850 LT SOIと直接ウェハ結合の自動生産結合システム

自動生産結合システム、多種の融合/分子ウエハ結合応用に適用

ウェハボンディングはSOIウェハ製造プロセス及びウェハレベル3 D集積の重要な技術である。機械的アラインメントSOI用EVG 850 LTによる自動生産結合システムとLowTemp™プラズマ活性化のための直接ウェハ結合、融合のためのすべての基本的なステップ-洗浄、プラズマ活性化、アラインメントからプリボンディング、IR検査へ-を融合した。そのため、実践的な検査を経た業界標準EVG 850 LTは300 mmサイズのボイドなしSOIウエハの高スループット、高生産量生産プロセスを確保した。

　　特徴

EVGを利用したLowTemp™プラズマ活性化技術によるSOIと直接ウェハ結合

各種の融合/分子ウエハ結合応用に適用する；生産システムは高スループット、高生産環境で動作可能

ボックスからボックスへの自動操作（エラーロード、SMIFまたはFOUP）、汚れのない裏面処理

超音速及び/又はブラシクリーニング、機械的な平坦化または切欠き位置合わせのための事前結合

高度な遠隔診断技術データ

ウエハ直径（基板サイズ）100〜200、150〜300 mm

全自動カセットからカセットへの操作

よびせっちゃくしつ

位置合わせタイプいちあわせたいぷ:平面から平面へ、またはノッチからノッチへ

アライメント精度：XとY：±50µm、θ：±0.1°

結合力：zui高5 N