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半導体ガス中の微量不純物分析システム

ネゴシエーション可能更新02/03
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概要

半導体技術の進歩及び半導体レーザの通信、情報処理などの分野での応用が活発になるにつれて、製造過程で使用される特殊ガスの種類と数量は絶えず増加している。本システムはガスクロマトグラフィー法を採用し、半導体材料ガス中の微量不純物及び成分含有量を自動的に検出することができる。

製品詳細

測定可能なゲルマニウム(GeH)、リン化水素(PH 値)、砒素(AsH)、ジクロロシラン(DCS)、トリクロロシラン(TCS)などの半導体ガス中の不純物成分が含まれる。

高性能ガスクロマトグラフにより高精度の自動検出が可能(操作が簡便)。

検出可能な水素(H2)、酸素(O2)、窒素ガス(N2 の)、メタン(CH4)、一酸化炭素(CO 社)、二酸化炭素(二酸化炭素)、C2 型成分、C3成分などの不純物。


測定可能なゲルマニウム(GeH)、リン化水素(PH 値)、砒素(AsH)、ジクロロシラン(DCS)、トリクロロシラン(TCS)などの半導体ガス中の不純物成分が含まれる。

高性能ガスクロマトグラフにより高精度の自動検出が可能(操作が簡便)。

検出可能な水素(H2)、酸素(O2)、窒素ガス(N2 の)、メタン(CH4)、一酸化炭素(CO 社)、二酸化炭素(二酸化炭素)、C2 型成分、C3成分などの不純物。


測定可能なゲルマニウム(GeH)、リン化水素(PH 値)、砒素(AsH)、ジクロロシラン(DCS)、トリクロロシラン(TCS)などの半導体ガス中の不純物成分が含まれる。

高性能ガスクロマトグラフにより高精度の自動検出が可能(操作が簡便)。

検出可能な水素(H2)、酸素(O2)、窒素ガス(N2 の)、メタン(CH4)、一酸化炭素(CO 社)、二酸化炭素(二酸化炭素)、C2 型成分、C3成分などの不純物。