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13475860763
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山東省青島市黄島区峨眉山路396号光谷ソフトウェアパーク57号棟501
青島森泉光電有限公司
panyue@sourcescn.com
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山東省青島市黄島区峨眉山路396号光谷ソフトウェアパーク57号棟501

Thorlabs DET 08 CFC/M-インジウムガリウム砒素光検出器特徴:
4種類の型番カバー波長範囲400-1700 nm
帯域幅1~5 GHz
上昇時間は50 psから1 ns
シングルモード(SM)またはマルチモード(MM)ファイバへの接続
FC/PCファイバ入力コネクタ
SMA出力コネクタ
Thorlabs DET 08 CFC/M-インジウムガリウム砒素光検出器一連の光ファイバ結合、高速、高帯域幅検出器を提供し、FC/PCシングルモードまたはマルチモード光ファイバを接続することができる。これらの検出器全体の感度範囲は、近赤外(400〜1700 nm)が見られることから、表1.2で各検出器の正確なスペクトル範囲を確認してください。このページのすべての検出器にはGHz信号帯域幅があり、他のDETシリーズと同様に使用が簡単です。これらの検出器は、データ通信、アナログマイクロ波、一般的な高速フォトニクスなどの試験または測定用途に設計されている。自由空間探査の場合、Thorlabsは高速自由空間探査機を提供する。また、光ファイバ結合光検出器と同様に簡単に使用できますが、動作速度が遅いバイアスフォトダイオードを内蔵した一連のバイアスフォトダイオードを提供します。私たちのバイアス光検出器は、卓上型フォトダイオード増幅器とPMTトランスインピーダンス増幅器に互換性があります。
これらの光ファイバ結合検出器は逆バイアスされ、内部にバイアス電池があり、入射光に線形応答を発生する。高信号帯域幅を維持するために、信号はSMAコネクタを介して出力される。ThorlabsはSMAケーブルとSMA中継BNC中継を含む全シリーズの電子中継器とケーブルを提供し、オシロスコープや他の測定電子機器で信号を監視するのに便利である。
我々は、400〜1100 nmの波長範囲、オプションとして1 GHz(#DET 02 AFC)または2 GHz(#DET 025 AFC)の帯域幅を有するシリコンベースの光ファイバ結合検出器を用いた。近赤外への応用には、インジウムガリウム砒素(InGaAs)に基づく光ファイバ結合検出器を使用することができ、その検出範囲は800から1700 nm、帯域幅は1.2 GHz(#DET 01 CFC)または5 GHz(#DET 08 CFC)を選択することができる。高速信号モニタリングには、Thorlabsは50Ω負荷抵抗の使用を推奨している。低帯域幅アプリケーションの場合、調整可能な端末接続ヘッドまたは固定端末接続ヘッドは測定電圧を迅速に調整することができます。

| 項目 # | DET02AFC | DET025AFC型 | DET01CFC型 | DET08CFC型 |
|---|---|---|---|---|
| 波長範囲 | 400〜1100 nm | 400〜1100 nm | 800〜1700nm | 800〜1700nm |
| 材料 | シ | シ | InGaAs | InGaAs |
| 帯域幅 (-3 dB) a,b,c | 1 GHz の | 2 GHz の | 1.2 GHzの | 5 GHz(最大) |
| ファイバー入力 | FC/PC | FC/PC | FC/PCd | FC/PC |
| 信号出力 | SMA | SMA | SMA | SMA |
| 最小抵抗負荷 | 50 Ω | 50 Ω | 50 Ω | 50 Ω |
| 最大ピークパワー | 18 mW | 18 mW | 18 mW | 100mW |
| - | - | 5.5 mW(1550 nm)b | - | |
| 出力電圧 | 0~3.3V(50Ω) 0~10V(Hi-Z) | 2V(最大)e | 0から1V(50Ω)f 0~10V(Hi-Z) | 2V(最大)e |
| 上昇時間(tr)a、b、c | 1 ns @ 730 nm (最大) | 150 ps @ 653 nm、20/80%(タイプ) | < 1 nsg @ 1310 nm | 70 ps @ 952 nm、20/80%(タイプ) |
| 秋の時間(tf)a、b、c | 1 ns @ 730 nm (最大) | 150 ps @ 653 nm、80/20%(タイプ) | < 1 nsg @ 1310 nm | 110 ps @ 952 nm、80/20%(タイプ) |
| 偏差電圧 | 12V | |||
| 暗い流れ | 126 パア | 35 pAa、h | 0.235 nAa、h | 1.5 nAa、h |
| NEP(最大) | 9.5 x 10-15 W/√Hz (@ 730 nm) | 9.29 x 10-15 W/√Hz (@ 730 nm) | 4.5 x 10-15 W/√Hz (@ 1550 nm) | 2 x 10-15 W/√Hz (@ 1550 nm) |
| ジャンクション容量 | 1.73 pF(最大) | 1.73 pF(最大) | 2.4 pF(典型的) | 0.3 pF |
| フォトダイオード 要素 | FDS02 | FDS02 | FGA01FC | - |