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Physical and Chemical Co., Ltd
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半導体動力学試験システム

ネゴシエーション可能更新05/06
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概要

半導体動力学テストシステム$r$n$r$n理化学会社は1対1のソリューションと技術サポートを提供する

製品詳細

半導体動力学試験システム

半導体材料/デバイス(Si/SiC/GaN/有機/ペロブスカイト)向けのキャリア動力学+過渡光電+パワーデバイスの動特性一体化テストプラットフォーム、理化器は一対一の専属方案と全周期技術サポートを提供する

1.キャリア動力学(材料レベル)

  • 過渡光電圧/光電流(TPV/TPC)、時間分解蛍光(TRPL)、飛行時間(TOF)移動度。

  • 深準位過渡分光法(DLTS)、電荷抽出(CE)、線形増圧キャリア(CELIV)。

  • 解析パラメータ:キャリア寿命、移動度、拡散長、欠陥状態密度、界面複合速度。

2.パワーデバイスの動的特性(デバイスレベル)

  • 動的Rds(on)、ゲート電荷Qg、短絡耐性(SCSOA)、ボディダイオード劣化試験。

  • 適合:MOSFET/IGBT/SiC-MOSFET/GaN-HEMT、600 V-10 kV、10 A-1 kAをカバーする。

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