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理化(香港)有限公司北京事務所
Physical and Chemical Co., Ltd
理化(香港)有限公司北京事務所
半導体動力学試験システム
過渡光電圧/光電流(TPV/TPC)、時間分解蛍光(TRPL)、飛行時間(TOF)移動度。
深準位過渡分光法(DLTS)、電荷抽出(CE)、線形増圧キャリア(CELIV)。
解析パラメータ:キャリア寿命、移動度、拡散長、欠陥状態密度、界面複合速度。
動的Rds(on)、ゲート電荷Qg、短絡耐性(SCSOA)、ボディダイオード劣化試験。
適合:MOSFET/IGBT/SiC-MOSFET/GaN-HEMT、600 V-10 kV、10 A-1 kAをカバーする。
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