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住所
上海閔行区元江路5500号
Shanghai Maikewei Semiconductor Technology Co., Ltd
概要
ドイツのSciDre社が発表した高温高圧光浮遊領域法単結晶炉は2200〜3000℃以上の成長温度を提供でき、結晶成長チャンバの圧力は300 bar、さらには10−5 mbarの高真空を提供できる。各種超伝導材料単結晶、誘電体及び磁性材料単結晶、酸化物及び金属間化合物単結晶などの成長に適している。
製品詳細
SciDre高温高圧光フロート炉特徴
●垂直式光路設計を採用
●高照度短アークキセノンランプを採用し、多種の電力仕様を選択可能
●融解ゾーン温度：＞3000℃
●溶融区圧力：10 bar/50 bar/100 bar/150 bar/300 barなど多種の規格を選択可能
・酸素/アルゴン/窒素/空気/混合ガスなどの複数のガス路を選択可能
●回折格子制御技術を用いて、加熱電力を0-100%から連続的に調整可能
●試料キャビティは10-5 mbarの低真空環境を実現できる
●豊富なリフトオプション
SciDre高温高圧光フロート炉技術パラメータ
融解ゾーン温度：2000～3000℃以上
溶融部圧力：10、50、100、150、300 barまで選択可能
ゾーン真空：1*10-2 mbarまたは1*10-5 mbarオプション
メルトゾーン雰囲気：Ar、O 2、N 2など選択可能
ガス流量：0.25-1 L/min流量制御可能
キセノンランプ出力：3 kW〜15 kWオプション
棒台サイズ：6.8 mmまたは9.8 mmオプション
引張速度：0.1-50 mm/h
調整速度：0.6 mm/s
延伸寸法：130 mm、150 mm、195 mmオプション
回転速度：0～70 rpm
使用電力：400 V三相63 A 50 Hz
本体サイズ：330 cm*163 cm*92 cm（仕様により若干差あり）
ユーザー単位
中国科学院物理研究所
中国科学院固体物理研究所
北京師範大学
中山大学
南昌大学
上海大学
北京大学
北京航空航天大学
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