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深セン市科時達電子科技有限公司
カーボンナノチューブ生産設備と工業生産設備に広く応用されている。
平板赤外加熱反応炉は、50〜300 mmの円晶アニーリング処理システム及び工業生産ベイクラインに使用することができる。
大面積基板を加熱する(Solar cell-太陽電池パネル、FPDフラットパネルディスプレイ) 半導体円晶の高温急速加熱 薄い金属片の焼鈍 Ps型は幅40 mmの黄金反射面を持つ Pssタイプは20 mm幅の黄金反射面を有し、ランプ管の密集取り付けを実現できる Ps型とPss型は組み立てにより大面積加熱が可能である、 *1型番の説明: Ps(s)35 Vを例に: P :放物線反射面、 s :40 mm幅(ss:20 mm幅)、 3 :ランプの数、 , 5 :ランプの長さ、 , 五、 :平面放射加熱 ・当該炉体の作動時に冷却水が必要である、用途
特技
仕様
モデル*1
かねつほうしき
さいだいかねつおんど
かねつながさ
(ランプ発光長)電圧
電力
Ps15V
へいめんふくしゃかねつ
1
140 mm
200V
1.2kW
Ps110V
265 mm
2.0kW
Ps116V
420 mm
300V
3.0kW
Ps35V
3
140 mm
200V
3.6kW
Ps310V
265 mm
6.0kW
Ps316V
420 mm
300V
9.0kW
Pss35V
140 mm
200V
3.6kW
Pss38V
200 mm
4.8kW
Pss310V
265 mm
6.0kW
Pss316V
420 mm
300V
9.0kW
・加熱温度or昇温速度は、被加熱試料の赤外反射率、吸収率、熱容量、材料に応じて変化する。
●その他の構成要件については、お問い合わせください。