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wei.zhu@shuyunsh.com
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上海市松江区千帆路288弄G 60科創雲廊3号棟602室
束埋蔵計器(上海)有限公司
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PHIGENESIS HAXPES用モデル900
スパッタエッチング不要の深さ探索
次世代透明発光材料は直径約10 nm ~ 50 nmのナノ量子ドット(QDs)を使用し、XPS(Al Ka X線)とHAXPES(Cr Ka X線)を組み合わせて同一のミクロ特徴領域を分析することで、QDsの詳細な深さ構造分析を行うことができる。
XPSとHAXPESの併用により、ナノ粒子の深さ分解、定量、化学状態分析を行うことができ、イオンビームスパッタリングによる損傷を回避することができる。

硬いX線光電子分光計HAXPES深層インタフェースの解析
2つのX線源のうち、Y 0はCr KaXPSだけで検出され、表面から14 nm下のCr層が検出された。フィッティング後のスペクトルはCrの化学状態を決定した。また、比較により、光電子離陸角90°と30°のCrKaスペクトルの結果、浅い(表面感度が高い)離陸角では酸化物の強度が高く、Cr酸化物がY、0、Cr層との界面にあることを示した。

PHI硬X線光電子分光計カーネル電子の検出
CrKaは、追加のAl Kaでは取得できないコア電子がCrKaの高エネルギー光電子に基づいていることを提供し、通常は分析に使用できる複数の追加の遷移があります。

応用分野
主に電池、半導体、光起電力、新エネルギー、機械部品、ナノ粒子、触媒、金属材料、ポリマー、セラミックスなどの固体材料及び装置分野に応用される。
全固体電池、半導体、光起電力、触媒などの分野に用いられる先進的な機能材料はすべて複雑な多成分材料であり、その研究開発は化学構造から性能までの絶えず最適化に依存している。ULVAC-PHI,Inc.が提供する新しい表面分析機器「PHI GENESIS」の全自動多機能走査集束X線光電子分光計は、*性能、高自動化、柔軟な拡張能力を持ち、顧客のすべての分析ニーズを満たすことができる。
さまざまな研究分野におけるPHI GENESIS多機能解析プラットフォームの応用
バッテリAES/Transfer Vessel
「LiPON/LiCoO 2断面のpA-AES Li化学イメージング」
LiPONなどのLi系材料は、電子ビーム照射に敏感である。
PHI GENESISが提供する高感度エネルギー解析器は、低ビームフロー(300 pA)でAES化学イメージングを迅速に取得することができる。

機械部品のあるUPS/LEIPS/GCIB
UPS/LEIPSとAr-GCIBを用いたバンド構造の測定
(1)C 60フィルム表面
(2)C 60フィルム表面洗浄後
(3)C 60薄膜/Au界面
(4)Au表面
UPS/LEIPS分析とAr-GCIB深さ分析により有機層のエネルギー準位構造を決定することができる。

半導体XPS/HAXPES
半導体デバイスは、一般に多くの元素を含む複雑な薄膜から構成されており、その開発には通常、界面における化学状態の非破壊分析が必要である。ゲート酸化膜下のGaNなどの深層界面から情報を得るためには、HAXPESを使用することが必要である。

マイクロエレクトロンHAXPES
微小半田点分析HAXPES分析データによると、金属状態Snの含有量はXPS分析データよりも高く、これはSn球表面が酸化されたためであり、深さが深くなるにつれて、金属状態Snの含有量が高くなり、ちょうどHAXPES分析深さがXPSよりも深い特徴に符合する。
