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深セン市宝安区松岡鎮江辺創業一路福興工業園
深セン市恩陽科技有限公司
深セン市宝安区松岡鎮江辺創業一路福興工業園


エネルギー分散X蛍光分光器多導毛管集束XRF超小測定点または極薄コーティングの分析測定に専用の機器であり、フレキシブル回路基板、チップパッケージリング、ウエハマイクロゾーンのめっき厚さと成分自動試験分析において優位性を発揮する。
マイクロエレクトロニクスデバイス、高度な回路基板、コネクタ、リードフレーム、およびウエハの超微小領域を測定することができる。
1)マイクロフォーカス補強型搭載X線発生器及び多導毛細管技術、測定直径は10μmまで小さくてもよい
2)パノラマ+マイクロゾーンのデュアルカメラ設計、観察サンプルはより全面的で、マイクロゾーンはミクロンレベルの解像度まで小さく、より迅速で便利なテストを実現する
3)に基づいてEFPアルゴリズムの次世代膜厚測定ソフトウェアEFP-Tは、標準試料に基づく定量分析をサポートし、標準試料なし定性分析をサポートし、23のめっき層、24種類の元素を同時に分析することができる
4)大面積高分解能
5)測定元素範囲:アルミニウムアルミニウム(13)-鋼(92)
6)コーティング層分析範囲:リチウム李(3)-呉(92)
7)Z軸衝突防止設定、V領域レーザー保護、測定ヘッドを保護すると同時に、測定距離、測定可能サンプルタイプの範囲がより広い
全自動プログラマブルモバイルプラットフォームを搭載し、無人を実現し、何百人ものサンプルを全自動検査することができる

業界アプリケーション:Bumping(Solder Bump-Ag含有量検出)
Flip-Chipは優れたパッケージの最大市場であり、Bumpingはその主要なプロセスであり、集積密度を著しく高める。現在、ヘッドウェハ製造工場はBump Pitchを10μm以下に推進しており、国内の大パッケージ工場は40μm近くにある。
Bumping/μ-Bumping,(マイクロ)バンプ製造技術は倒置などの発展発展発展の基礎工事であり、TSV、WLP、2.5 D/3 D、MEMSなどのパッケージ構造と技術を拡張発展させ、5 G、人工知能、クラウドコンピューティング、ウェアラブル電子、モノのインターネット、ビッグデータ処理と貯蔵などの集積回路応用に広く応用されている。
スズ銀バンププロセスにおける鉛フリーはんだ:スズ銀Sn-Ag,スズ銀銅Sn−Ag−Cuは、鉛フリーハンダとしてPCB、Bumpに広く使用されている。一方、バンプの面積は小さく、通常のXRF小サンプル小コリメータ光束が小さい場合、その中のAg含有量を正確に分析することができず、製品プロセスのリアルタイム最適化を実現することが難しい。

業界応用:金属薄膜堆積厚さ及び成分検査(PVD/CVD)
チップは一連の能動回路素子と受動回路素子とが積層されている3 D構造、薄膜堆積はチップ前駆体製造のコアプロセスの一つである。チップの切り抜き断面から見ると、チップは1層のナノスケール素子から積層され、すべての能動回路素子(例えばトランジスタ、メモリセルなど)がチップの底部に集中し、他の部分は上層のアルミニウム/銅相互接続によって形成された金属層と各層の金属間の絶縁媒体層からなる。
薄膜の製造には異なる技術原理が必要であるため、薄膜堆積装置にも異なる技術原理、物理/化学などの異なる堆積方法を相互に補充する。
薄膜堆積プロセスは主に物理と化学方法の2種類に分けられる:
1)物理方法:熱蒸発或いは粒子衝撃を受けた時の物質表面原子のスパッタリングなどの物理過程を利用して、物質原子の源物質から基板材料表面への物質移動を実現することを指す。物理的方法としては、物理蒸着(Physical Vapor Deposition、PVD)、スピンコーティング、電気めっき(Electrondeposition/Electroplating、ECD/ECP)などが挙げられる
化学的方法としては、化学蒸着(Chemical Vapor Deposition、CVD)及びエピタキシャル(Epitaxy、EPI)等が挙げられ、
PVDは主に金属及び金属化合物薄膜の堆積に用いられ、最も主に金属相互接続シード層、バリア層、ハードマスク、パッドなどに用いられる。マグネトロンスパッタリングPVDは主にAl金属種結晶層、TiN金属ハードマスクに用いられる。マグネトロンスパッタリングPVDにおけるマグネトロンDCPVDは、特にAl相互接続金属層などの平面薄膜の堆積に広く用いられているが、Cu相互接続(CuBs)への応用が減少し、32 nm以下のTiNハードマスクがこのような技術の新たな応用を開始した。イオン化PVDは主にAlのバリア層、CuBs中のバリア層、シード層に用いられ、タングステン塞栓中のTi接着層を堆積するために金属CVDと結合することもできる。
CVDは絶縁媒体薄膜の堆積によく用いられ、前段のゲート酸化層、サイドウォール、バリア層、PMDなどの分野と後段のIMD、Barc、バリア層、パッシベーション層などの分野に用いられ、またCVDは金属薄膜(Wなど)を製造することもできる。
XAD-μ-waferは一六器械国産自研の多導毛細光学系を搭載するとともに、10μm未満のスポット、千倍以上の強度利得を提供することができ、Au、Ag、Al、Ti/TiN、V、Ni、W、Cu、Moめっき層の精密試験により、通常の金属薄膜の厚さ検出限界は1 nmに達することができる。



1. 操作インタフェースレイアウトの明確化
シンプルなレイアウト設計により、オペレータはソフトウェアの基本操作を迅速に把握することができます。
2. プログラムショートカットボタンの設計
日常めっきプログラムのショートカットキー設計ボタンを追加し、ライブラリに入って選択する必要がなく、迅速に検出でき、作業効率を向上させることができる。
3. 高品位パノラママイクロゾーン可視化ウィンドウ
検出されたサンプルの状態を視覚的にはっきりと観測することができ、ズームによってノブを調整することで、ユーザーに理想的な観測効果。
4. 計器データリアルタイムモニタリングデータまとめ
計器のすべてのデータ、異常が一目で観測でき、システムは最初の時間を注意し、操作ミスを大幅に低減する。

| 製品名 | エネルギー分散X蛍光分光器多導毛管集束XRF |
| 製品型番 | XAD-μ-ウエハ |
| 測定要素範囲 | アルミニウム(13)-U(92) |
| めっき層分析範囲 | Li(3)- U(92) |
| EFPアルゴリズム | 標準 |
| 解析ソフトウェア | 23個のめっき層、24種類の元素 |
| 異なるレイヤーが同じ 要素検出能力 | 標準 |
| ソフトウェアオペレーション | 次世代ベースのEFPアルゴリズム、人間化閉鎖ソフトウェア、自動判定故障提示補正及び操作手順、誤操作回避 |
| X線装置 | マイクロフォーカス強化型放射線管、ターゲット材料は選択可能:Rh、Cr、W |
| 探査機 | DPP+高速SDD探査機70mm² |
| キャピラリフォーカス光学素子 | 標準15μm FWHM(オプション5~100μm) |
| フィルター | 8種類のフィルタ切替装置 |
| 拡大倍率 | 広角+マイクロカメラ(光学増幅330倍、デジタル増幅1~6倍) |
| Z軸移動範囲 | サンプルに合わせてカスタマイズし、適合ストロークが可能>100mm |
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| 全自動高精度XYプラットフォーム |
| サンプルテーブルストローク | 300*300 mm(カスタマイズ可能600*600 mm) |
| その他の添付ファイル | コンピュータ一式、プリンタ、アクセサリボックス、12元素シート(オプションでウェハトランスファ、エッジファインダ、真空吸着装置などを搭載) |
| X線標準 | DIN ISO 3497、DIN 50987、ASTM B 568 |