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Zhengzhou Ketan Instrument Equipment Co., Ltd
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半導体とナノ電子デバイスの特性評価
日付:2025-11-29読み:1

トランジスタのオフ状態電流測定、高抵抗材料抵抗率測定、ナノデバイスの電気特性、走査プローブ顕微鏡などの実験では、デバイスサイズがナノスケールに縮小するか、材料が非常に薄い場合、リーク電流と測定すべき電流自体は極めて微小である。このレベルでは、実験者は、熱雑音、振動雑音、さらには空気中の分子イオン化によって生成される電荷を含む、さまざまな雑音と干渉と戦う必要がある。

このような微小電流の実験には電流が100フェムトアン(fA、すなわち10 ^{-13}アンペア)未満である必要があり、100 fA以下の電流測定を行うには、従来のマルチメーターは役に立たない。専門的な設備と技術を使用しなければならない。

1、静電計/ソース測定ユニット:これはコアデバイスです。高精度の静電気計またはSMUは、0.1 fA以下の電流まで測定することができる。これらは特殊な「虚地」技術と超高帰還抵抗を採用しています(例:>10 ^{14}Ω)。

2、三同軸ケーブル:二層シールドの三同軸ケーブルを用いて被測定デバイスと静電計を接続する。外層シールドは接地され、内層シールドは中心導体と同じ電位に駆動され(保護技術)、ケーブルの漏洩電流と寄生容量を最小限に抑える。

3、遮蔽と接地:プローブ台を含む試験システム全体を良好なファラデーケージ(金属遮蔽箱)に入れて、外部電磁干渉を遮蔽しなければならない。

4、環境制御:湿った空気が絶縁表面に導電通路を形成し、巨大な漏洩電流を導入するため、湿度を制御することは非常に重要である。通常、乾燥した窒素雰囲気または真空中で測定される。

5、振動隔離:機械振動はケーブルとコネクタの微小変位を招き、摩擦電気ノイズを発生し、これは高インピーダンス測定において顕著なノイズ源である。

電流殿100 fAの問題を解決するために、真空プローブ台KT-Z 1604 Tを採用することができ、このプローブ台の載置台は60 x 60ステンレス鋼台で、台面は最高1高から最高350℃まで昇温することができる。真空チャンバには吸気口と真空吸引口が設計されている。プローブアームはX/Y/Zの3軸移動であり、3つの方向はすべて真空環境下で精密に変位調節することができ、その中のX方向調節範囲:0-30 mm、y方向調節範囲:0-20 mm、z方向調節範囲:0-20 mm、ユーザーは必要に応じて自分で調節することができる。使用時に検出したいデバイスを加熱台に固定し、プローブホルダX/Y/Z方向のストロークを微調整し、顕微鏡で観察し、プローブを検出点に合わせてから、検出を行うことができます。