半導体レーザ

交渉可能更新02/10

モデル

製造者の性質: プロデューサー

製品カテゴリー

原産地

オンラインコンサルト

概要

半導体レーザは量子井戸構造のDFBレーザを採用し、半導体冷凍器を内蔵し、標準的なパッケージ技術は蝶形（butterfly）尾繊式パッケージを実現し、構造はコンパクトで、体積は小さい、レーザは電力が安定し、波長が安定し、高い信頼性比で顧客の信頼を勝ち取り、光ファイバ通信分野で広く応用されている

製品詳細

半導体レーザは量子井戸構造を用いているDFBレーザ、半導体冷凍器を内蔵し、標準的なパッケージプロセスは蝶形（butterfly）尾繊式パッケージを実現し、構造がコンパクトで、体積が小さい、レーザは電力が安定し、波長が安定し、高い信頼性比で顧客の信頼を勝ち取り、光ファイバ通信分野で広く応用されている。半導体冷凍器の高精度温度制御の下で、レーザの電力が高く安定し、波長が高く安定している利点により、レーザは光ファイバセンサの分野で広く応用されている。

　　半導体レーザ定格限界動作条件：

パラメータ	記号	パラメータ値	単位
レーザダイオード順方向電流	IF(LD)	100	mA
レーザダイオード逆電圧	VR（LD）	2	V
バックライト検出器動作電流	IF(PD)	2	mA
バックライト検出器逆電圧	VR（PD）	20	V
冷凍機動作電流	ITEC	2.4	A
冷凍機動作電圧	VTEC 社	2.9	V
動作温度	トップル	-20~+70	℃
ちょぞうおんど	Tstg の	-40~+85	℃
リード溶接温度/時間	TSLD	260/10	℃/秒

技術パラメータ：

パラメータ	記号	テスト条件	最低	タイプ	マックス	単位
出光パワー	PO	CW の	3		10	mW
しきい値電流	イス	CW の	-	12	18	mA
さぎょうでんりゅう	IoP	CW、5mW	-	-	50	mA
動作電圧	VOP	CW、5mW	-	1.5	2.0	V
スロープこうりつ	の	CW、5mW	0.05	0.1	-	mW／mA
ピーク波長	λp	CW、5mW@25℃	λc-1	λc	λc+1	nm
波長安定度	λs	CW、5mW@25℃	〜0.1nm		+0.1	dB
サイドダイ抑制比	SMSR	CW、5mW	35	-	-	nm
スペクトル幅（20 dB）	[不明]965151λ	CW、5mW	-	0.2		nm／℃
温度変化に伴う波長のドリフト係数	八96511 ;λ/T	あんていかどうでんりゅう		0.1		nm／℃
電流に伴う波長変動ドリフト係数	λ／I	安定動作温度		0.01		nm／mA
サーミスタ	Rth の	Ttherm=25℃について	9.5	10	10.5	kΩ

ガス吸収基準表：

ガス成分	きゅうしゅうはちょう
O2	761nm、764nm（VCSEL）
HF	1268.7nm、1273nm、1278nm
H2Oは	1368.59nm、1392nm
NH3	1512nm
C2H2	1532.68nm
CO 社	1567nm
H2S	1578nm
二酸化炭素	1580nm、2.0um
C2H4	1620nm、1627nm
CH4	1647nm、1650.9nm、1653.7nm、1660nm
HCl の	1742nm

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