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アドレス
上海市松江区茸北路88号5号棟208室
上海増駿実業有限公司
概要
IVパラメータ（破壊電圧とオン抵抗）、三端子FET容量、ゲート電荷と電力損失を含む、異なる動作条件におけるデバイスのすべての関連パラメータを評価することができる。回路設計に使用されるTH 521シリーズ半導体パラメータ解析器は、完全な曲線追跡器機能及びその他の機能を有する。
製品詳細
紹介：
ホモヘテロTH 521半導体パラメータ分析器回路設計のための総合ソリューションであり、回路設計のための総合ソリューションであり、電力電子回路設計者が自分の応用に適した電力デバイスを選択し、電力電子製品に最大の価値を発揮させるのを助けることができる。IVパラメータ（破壊電圧とオン抵抗）、三端子FET容量、ゲート電荷と電力損失を含む、異なる動作条件におけるデバイスのすべての関連パラメータを評価することができる。回路設計に使用されるTH 521シリーズ半導体パラメータ解析器は、完全な曲線追跡器機能及びその他の機能を有する。
TH 521シリーズの最大出力電圧エネルギーは±3500 V最大出力電流エネルギーは±1800 Aに達し、電圧測定最小解像度は100 nV、電流測定最小解像度は10 fA、容量測定コレクタの最大バイアス電圧は±3500 Vに達し、測定周波数は最高10 MHzに達することができる。
パフォーマンスの特長
TH521の一般的な特性
·ガンダム3.5kV/1800A
から-50°Cへ+250°Cの全自動高速熱試験
・パワーデバイス（半導体及び部品）の自動作成のための技術資料
・自動記録機能によりデータ損失を防止
·アルミニウム二次オーサリングpythonテストスクリプト
TH521IVスイートのプロパティ
・パッケージとウェハ上のデバイスの全自動高速化四、測定
（ロン、BV、漏れ、しきい値電圧、ごく小さな開口アンテナ端末等)
・狭い四、パルス幅（最も狭い 10μs）デバイスの自己発熱を防止し、より正確に測定することができる
デバイスの実際の性能を試す
・オシロスコープビュー（時間領域ビュー）は実際の電圧を監視することができる/電流パルス波形
正確な測定を行います
*構成は柔軟に拡張でき、追加できる履歴書和軍需主任、電流範囲を20A拡張
へ200A、600Aまたは1800A
TH521スイートの完全な機能
·四、スイートのすべてのプロパティ
・パッケージデバイスの3.5kV時のトランジスタ入出力逆転送容量
（Ciss、Coss、りんかいぶんせつおうりょく、西、Coes、クレス）及びゲート抵抗（Rg）
・パッケージデバイスのゲート電荷の測定（軍需主任）曲線
・電力損失（伝導、駆動、スイッチング損失）の計算
応用分野
・半導体パワーデバイス
ダイオード、三極管、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、サイリスタ、集積回路、光
電子チップ等の寄生容量試験、履歴書とくせいかいせき
・半導体材料
ウェハ切断、履歴書とくせいかいせき
・液状物質
弾性定数解析、液晶切断
・容量素子
コンデンサ履歴書特性試験及び分析、容量式センサ試験分析
H521シリーズ半導体パラメータアナライザ技術パラメータ：
測定ユニット | |||
でんあつレンジ |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+ミリボルト+ミリボルト） |
*大電流 |
200mV |
100nV |
±（0.06+0.14+Io x 0.05） |
1A |
2V |
1μ五、 |
±（0.06+0.6+Iox0.5） |
1A |
20V |
10μ五、 |
±（0.06+3+Iox5） |
1A |
40V |
40μ五、 |
±（0.06+3+Iox10） |
1A |
電流範囲、分解能、精度 |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+A+A） |
*高電圧 |
10μA. |
10ミリアンペア |
±（0.06+1E-8+Vo x 1E-10） |
30V |
100μA. |
100pA |
±（0.06+2E-8+Vo x 1E-9） |
30V |
1mA |
1nA |
±（0.06+2E-7+Vo x 1E-8） |
30V |
10mA |
10nA |
±（0.06+2E-6+Vo x 1E-7） |
30V |
100mA |
100nA |
±（0.06+2E-5+Vo x 1E-6） |
30V |
1A |
1uA |
±（0.4+2E-4+Vo x 1E-5） |
30V |
典型的な解像度 |
6½ビット |
||
*大電圧 |
±30V |
||
*しょうでんりゅう |
10ミリアンペア |
||
パルス*大デューティ比 |
5%（ピーク超過100mA時） |
||
パルス*小幅 |
10μs |
||
パルス*大幅 |
100ミリ秒（峰值超过100mA時） |
||
直流*大電流 |
±100mA |
||
パルス*大ピーク |
±1A |
||
パルス*大基底値 |
±50mA（ピーク超過100mA時） |
||
HCSMU | |||
電圧範囲、分解能、精度 | |||
でんあつレンジ |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+ミリボルト+ミリボルト） |
*大電流 |
200mV |
100nV |
±（0.06+0.6+Iox0.05） |
20A |
2V |
1μ五、 |
±（0.06+0.6+Iox0.5） |
20A |
20V |
10μ五、 |
±（0.06+3+Iox5） |
20A |
40V |
40μ五、 |
±（0.06+3+Iox10） |
1A |
電流範囲、分解能、精度 |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+A+A） |
*高電圧 |
10μA. |
10ミリアンペア |
±（0.06+1E-8+Vo x 1E-10） |
40V |
100μA. |
100pA |
±（0.06+2E-8+Vo x 1E-9） |
40V |
1mA |
1nA |
±（0.06+2E-7+Vo x 1E-8） |
40V |
10mA |
10nA |
±（0.06+2E-6+Vo x 1E-7） |
40V |
100mA |
100nA |
±（0.06+2E-5+Vo x 1E-6） |
40V |
1A |
1μA. |
±（0.4+2E-4+Vo x 1E-5） |
40V |
20A |
20μA. |
±(0.4 + 2E-3+Vo X 1E-4） |
20V |
典型的な解像度 |
6½ビット |
||
*大電圧 |
±40V |
||
*しょうでんりゅう |
10ミリアンペア |
||
パルス*大デューティ比 |
1%（ピーク超過1A時） |
||
50μs |
|||
パルス*大幅 |
千分の一秒（ピーク超過1A時） |
||
直流*大電流 |
±100mA |
||
パルス*大ピーク |
±20A |
||
パルス*大基底値 |
±100mA（ピーク超過1A時） |
||
MPSMU | |||
電圧範囲、分解能、精度 | |||
でんあつレンジ |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+ミリボルト+ミリボルト） |
*大電流 |
100mV |
100nV |
±（0.06+0.14+Io x 0.05） |
100mA |
1V |
1μ五、 |
±（0.06+0.6+Iox0.5） |
100mA |
10V |
10μ五、 |
±（0.06+3+Iox5） |
100mA |
100V |
100μ五、 |
±（0.012+2.5+Iox10） |
20mA(≥40V） 50mA(≤40V） |
電流範囲、分解能、精度 |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+A+A） |
*高電圧 |
1nA |
1fA |
±（0.1+2E-13+Vo x 1E-15） |
100V |
10nA |
10fA |
±（0.1+1E-12+Vo x 1E-14） |
100V |
100nA |
100fA |
±(0.05 + 2E-11 + ウォ X 1E-13） |
100V |
1μA. |
1pA |
±（0.05+1E-10+Vo x 1E-12） |
100V |
10μA. |
10ミリアンペア |
±（0.04+2E-9+Vo x 1E-11） |
100V |
100μA. |
100pA |
±（0.03+3E-9+Vo x 1E-10） |
100V |
1mA |
1nA |
±（0.03+6E-8+Vo x 1E-9） |
100V |
10mA |
10nA |
±（0.03+2E-7+Vo x 1E-8） |
100V |
100mA |
100nA |
±（0.04+6E-6+Vo x 1E-7） |
20V |
典型的な解像度 |
6½ビット |
||
*大電圧 |
±100V |
||
*しょうでんりゅう |
1fA |
||
HVSMU の | |||
電圧範囲、分解能、精度 | |||
でんあつレンジ |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度±（%+mV） |
*大電流 |
200V |
200uV |
±(0.03+40) |
10mA |
500V |
500uV |
±(0.03+100) |
10mA |
1500V |
1.5mV |
±(0.03+300) |
10mA |
3500V |
3.5mV |
±(0.03+600) |
5mA |
電流範囲、分解能、精度 |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+A+A） |
*高電圧 |
10nA |
10fA |
±（0.1+1E-9+Vo x 8E-12） |
3500V |
1μA. |
1pA |
±（0.05+1E-9+Vo x 8E-12） |
3500V |
100μA. |
100pA |
±（0.03+3E-9+Vo x 1E-11） |
3500V |
10mA |
10nA |
±（0.03+2E-7+Vo x 1E-9） |
1750V |
典型的な解像度 |
6½ビット |
||
*大電圧 |
±3500V |
||
*しょうでんりゅう |
10fA |
||
UHCU | ||
電圧範囲、分解能、精度 | ||
でんあつレンジ |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度±（%+mV） |
60V |
100μ五、 |
±(0.2+10) |
電流範囲、分解能、精度 |
出力/解像度の測定 |
出力/測定精度（%+A+A） |
200A |
200μA. |
±（0.6+0.3+0.01*Vo） |
600A |
500μA. |
±（0.6+0.3+0.01*Vo） |
1800A |
2mA |
±（0.8+0.9+0.02*Vo） |
パルス*大デューティ比 |
0.4%（600Aレンジ）、0.1%（1800Aレンジ） |
|
パルス*小幅 |
10μs |
|
パルス*大幅 |
千分の一秒（600Aレンジ）、500μs（1800Aレンジ） |
|
パルス*大ピーク |
200A、600A、1800Aレンジ |
|
MFCMU | ||
|
頻度 |
しゅうはすうはんい |
1kHz～10MHz |
*小周波数分解能 |
1mHz |
|
しゅうはすうせいど |
±0.05% |
|
|
こうりゅうでんきレベルレベル |
レベルレンジ |
0~250mV |
解像度 |
0.1mVrms |
|
精度 |
±(10%*設定値+2mV） |
|
|
ちょくりゅう |
範囲 |
0~±25V |
解像度 |
1mV |
|
精度 |
1%*せっていでんあつ+8mV |
|
出力インピーダンス |
100Ω |
|
テスト側構成 |
よんたんしつい |
|
テスト時間 |
速い2.5ミリ秒中速（ちゅうそく）90msスロー220ミリ秒 |
|
コンコンデンサ |
表示範囲 |
0.00001華氏度~ 9.99999華氏度 |
*高精度 |
0.05% |
|
TH521シリーズ半導体パラメータ分析計の型式選択表：
第521-35-20ページ |
IV： 3500V/20A |
TH521-35-20C |
IV： 3500V/20A，CV:10MHz，Qg |
第521-35-200ページ |
IV： 3500V/200A |
TH521-35-200C |
IV： 3500V/200A，CV:10MHz，Qg |
TH521-35-600 |
IV： 3500V/600A |
TH521-35-600C |
IV： 3500V/600A，CV:10MHz，Qg |
電話521-35-1800 |
IV： 3500V/1800A |
TH521-35-1800C |
IV： 3500V/1800A，CV:10MHz，Qg |
