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凌鴎500 V 4 A ipmインテリジェントパワーチップ

交渉可能更新05/11
モデル
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プロデューサー
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概要

LKS 1 D 5004 Dは高圧単相IPM(インテリジェントパワーモジュール)であり、内部に高圧IC及び高性能MOSFETが集積され、直流ブラシレスBLDC及び永久磁気同期PMSMモータに適用され、低側MOSFETのソースは電流サンプリングに使用でき、入力端はスミストリガを含み、論理レベル兼用3.3 V、5 V、15 V、パッチESOP 13パッケージである。

製品詳細

LKS1D5004D深セン市博正芯電子

情報の詳細

LKS 1 D 5004 Dは高圧単相IPM(インテリジェントパワーモジュール)であり、内部に高圧IC及び高性能MOSFETが集積され、直流ブラシレスBLDC及び永久磁気同期PMSMモータに適用され、低側MOSFETのソースは電流サンプリングに使用でき、入力端はスミストリガを含み、論理レベル兼用3.3 V、5 V、15 V、パッチESOP 13パッケージである。

LKS 1 D 5004 Dの主な特徴:

ブートストラップダイオード内蔵

負の過渡電圧に対して高いロバスト性を有する

⻔極駆動電圧範囲⽀10 V ~ 20 V

入力論理レベルは3.3 V 5 Vと15 Vの互換性がある

高側と低側の両方でUVLOを保持する

内蔵デッドスペースによる上下管の直通回避

  • 記述

  • 内蔵高性能500 V/4 A MOSFET内蔵ブートストラップダイオードは負の過渡電圧に対して高いロバスト性ゲート駆動電圧範囲を持ち、10 V ~ 20 V入力論理レベルは3.3 V互換性があり、5 V及び15 V高側と低側はUVLO内蔵デッドスペースを支持し、高速風筒、ファン、電動工具などへの上下管直通応用を避ける

  • ブランド名

  • LINKOSEMI(凌鴎創芯)

  • 商品の型番

  • LKS1D5004D

  • 商品パッケージ

  • ESOP-13