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アドレス
深セン市福田区中航路新アジア第1期6 C 002
深セン市博正芯電子有限公司
深セン市福田区中航路新アジア第1期6 C 002
LKS1D5004D深セン市博正芯電子
LKS 1 D 5004 Dは高圧単相IPM(インテリジェントパワーモジュール)であり、内部に高圧IC及び高性能MOSFETが集積され、直流ブラシレスBLDC及び永久磁気同期PMSMモータに適用され、低側MOSFETのソースは電流サンプリングに使用でき、入力端はスミストリガを含み、論理レベル兼用3.3 V、5 V、15 V、パッチESOP 13パッケージである。
LKS 1 D 5004 Dの主な特徴:
ブートストラップダイオード内蔵
負の過渡電圧に対して高いロバスト性を有する
⻔極駆動電圧範囲⽀10 V ~ 20 V
入力論理レベルは3.3 V 5 Vと15 Vの互換性がある
高側と低側の両方でUVLOを保持する
内蔵デッドスペースによる上下管の直通回避
記述
内蔵高性能500 V/4 A MOSFET内蔵ブートストラップダイオードは負の過渡電圧に対して高いロバスト性ゲート駆動電圧範囲を持ち、10 V ~ 20 V入力論理レベルは3.3 V互換性があり、5 V及び15 V高側と低側はUVLO内蔵デッドスペースを支持し、高速風筒、ファン、電動工具などへの上下管直通応用を避ける
ブランド名
LINKOSEMI(凌鴎創芯)
商品の型番
LKS1D5004D
商品パッケージ
ESOP-13