レーザ走査欠陥分光計

交渉可能更新01/27

モデル

製造者の性質: プロデューサー

製品カテゴリー

原産地

オンラインコンサルト

概要

レーザ走査欠陥イメージャはレーザビーム誘起電流（LBIC）試験のアップグレード版である。半導体バンドギャップよりも波長エネルギーが大きいレーザビームを用いて半導体を照射し、電子正孔対を生成する。試料表面を高速走査することにより、内部電流の変化を明らかにする画像分布を得て、それによって各種欠陥分布を分析する。これは、サンプル調製の品質を分析するのに役立ち、プロセスの改善に役立ちます。

製品詳細

製品紹介

4分間で全貌を把握し、100ミリx 100ミリ領域を50ミクロンの解像度で走査

　　エキサイティング光走査欠陥イメージャはレーザビーム誘起電流（LBIC）試験のアップグレード版である。半導体エネルギーギャップよりも波長エネルギーが大きいレーザビームを用いて半導体を照射し、電子−電気ホール対を生成する。サンプル表面を高速走査することにより、内部電流の変化を明らかにする画像分布を得て、各種欠陥分布を分析する。これは、サンプル調製の品質分析に役立ち、プロセスの改善に役立ちます。

特徴

●走査光生電流の分布

●走査光電圧分布

●走査開放電圧と短絡電流の分布

●表面汚染の解析

●短絡領域の分布の解析

●マイクロクラック領域の識別と分析

●少数キャリア拡散長の分布の解析（選択機能）

アプリ

雷射扫描缺陷图谱仪

シリコン太陽電池の光電流分布（405ナノメートル）

雷射扫描缺陷图谱仪

6インチシリコン結晶太陽電池スキャン（17秒）

雷射扫描缺陷图谱仪

ペロブスカイト太陽電池

雷射扫描缺陷图谱仪

LSD 4-OPV光応答電流分布図

雷射扫描缺陷图谱仪

LSD 4-OPV光応答電流分布図

分解能50µmの不均一性解析

バスバー/グリッドアスペクト比検出（断面解析）

高繰り返し（6回繰り返し）

仕様

プロジェクト	パラメータの説明。
機能	A。半導体バンドギャップよりエネルギーが高い波長レーザビームを用いて半導体中に電子正孔対を発生し、内部電流変化に対する空乏領域の影響を探索し、各種欠陥分布を理解し、分析し、プロセス改善の方向とする。 b.試料表面の光生電流の分布を走査することができる。 C。試料表面の光電圧の分布を走査することができる。 d.開放電圧と短絡電流の分布を走査することができる。 e.表面汚染を分析できる。 F。短絡領域の分布を解析することができる。 G。マイクロクラック領域を識別し、分析することができる。 H。少数キャリア拡散長の分布を解析することができる（オプション）。
励起源	405±10 nmレーザ 520±10 nmレーザ 635±10 nmレーザ 830±10 nmレーザ
スキャン領域	≥100mm×100mm
レーザスポットサイズ	TEM 00モードに近い点
マッピング解像度	A。スキャン解像度≦50µm b.スキャン解像度はソフトウェアで設定可能
マッピング時間	＜4分（100 mm×100 mm、解像度50 um）
アスペクト	60 cm60 cm100 cm
ソフトウェア	A。LBIC 3 D可視化 b.2 D断面解析（電極アスペクト比） c.光電流応答分布解析（長波長レーザ源と結合） d.データ保存とエクスポート機能

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