E 4980 BL米国KEYSIGHTは独LCRブリッジ

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E 4980 BL米国KEYSIGHTは独LCRブリッジ

E 4980 BL 20 Hz〜300 kHz帯直流抵抗（DCR）

E 4980 BL 20 Hzから300 kHz、直流抵抗（DCR）測定機能及びプロセッサインタフェース付き

E 4980 BL 20 Hz〜500 kHz帯直流抵抗（DCR）

E 4980 BL 20 Hzから1 MHz帯直流抵抗（DCR）

E 4980 B 20 Hzから2 MHz帯直流抵抗（DCR）

周波数20 Hzから300 kHz/500 kHz/1 MHz、どのレンジでも4ビット分解能

0.05%の基本精度、低インピーダンスと高インピーダンス条件下で優れた測定重複性を備える

1マイクロアンペア〜20ミリアンペア可変試験信号

直流バイアス電圧1.5/2 V

じどうレベルせいぎょ

ちょくりゅうていこう

201点リスト測定スキャン

多機能PC接続（ローカルエリアネットワーク、USB、GPIB）

周波数プロモート可能性

是徳科技E 4980 BL精密LCR表は業界標準のLCR測定器であり、精度、速度と多機能性を一体に集め、広範な素子測定に適している。オプションの周波数アップグレードスキームは、ユーザーに強力な投資オプションと資産使用率アップスキームを提供します。

多機能LAN、USB、GPIB PC接続機能により、設計とテストの効率が向上します。材料測定の面では、E 4980 BLとYes N 1500 A-005/006材料測定キットを組み合わせて使用することで、治具の設定からレポート生成までの全体の流れを簡単にすることができます。

測定パラメータ

–Cp-D、Cp-Q、Cp-G、Cp-Rp

–Cs-D、Cs-Q、Cs-Rs

–Lp-D、Lp-Q、Lp-G、Lp-Rp、Lp-Rdc

–Ls-D、Ls-Q、Ls-Rs、Ls-Rdc

–R-X

–Z-qd、Z-qr

–G-B

–Y-qd、Y-qr

–Vdc-Idc1

定義

Cpが並列等価回路モデルにより測定した容量値

Cs直列等価回路モデルにより測定された容量値

Lpが並列等価回路モデルにより測定したインダクタンス値

Ls直列等価回路モデルにより測定されたインダクタンス値

D損失係数

Q品質係数（Dの逆数）

Rpが並列等価回路モデルにより測定した等価並列抵抗

Rs直列等価回路モデルにより測定された等価直列抵抗

Rdc直流抵抗

R抵抗

Xリアクタンス

Zインピーダンス

Yアドミタンス

qdインピーダンス/アドミタンス位相角（角度）

qrインピーダンス/アドミタンス位相角（ラジアン）

Vdc直流電圧

Idc直流電流

偏差測定機能：基準値偏差及び基準値偏差パーセントは結果として出力することができる。

測定等価回路：並列、直列

インピーダンス範囲の選択：自動（自動範囲モード）、手動（保持範囲モード）

トリガモード：内部トリガ（INT）、手動トリガ（MAN）、外部トリガ（EXT）、GPIBトリガ（BUS）

E 4980 BL米国KEYSIGHTは独LCRブリッジ基本的な技術指標

1.トリガ待ち時間範囲0 s-999 s

解像度100µs（0 s-100 s）

1ミリ秒（100秒～999秒）

表2.

範囲0 s-999 s

解像度100µs（0 s-100 s）

1ミリ秒（100秒～999秒）

測定端子：4端子ペア

テストケーブル長：0 m、1 m、2 m、4 m

測定時間モード：短時間（SHORT）モード、中長時間（MED）モード、長時間（LONG）モード。

表3.平均値

範囲1～256回の測定

解像度1

表4.テスト周波数

試験周波数20 Hz-2 MHz（E 4980 B）

20ヘルツ-1メガヘルツ（E 4980 BL-102）

20ヘルツ-500キロヘルツ（E 4980 BL-052）

20ヘルツ-300キロヘルツ（E 4980 BL-032）

解像度0.01 Hz（20 Hz-99.99 Hz）

0.1ヘルツ（100ヘルツ-99.9ヘルツ）

1ヘルツ（1キロヘルツ-9.99キロヘルツ）

10ヘルツ（10キロヘルツ～99.99キロヘルツ）

1 kHz（1 MHz-2 MHz）

測定精度±0.01%

表5.テスト信号モード

通常、端子の開回路または短絡を測定する際に、プログラムがそれぞれ選択した電圧または電流。

測定デバイスのインピーダンスがどのように変化しても、測定デバイスには選択された電圧または電流が維持されます。

表6.テスト信号電圧

分辨率 100 µVrms（0 Vrms-0.2 Vrms）

200µVrms（0.2 Vrms-0.5 Vrms）

500µVrms（0.5 Vrms-1 Vrms）

1 mVrms（1 Vrms-2 Vrms）

精度通常±（10%+1 mVrms）試験周波数≦1 MHz：技術指標

テスト周波数>1 MHz：標準

一定1±（6%+1 mVrms）試験周波数≦1 MHz：技術指標

テスト周波数>1 MHz：標準

表7.しけんしんごうでんりゅう

解像度1µArms（0 Arms-2 mArms）

2µArms（2 mArms-5 mArms）

5µArms（5 mArms-10 mArms）

10µArms（10 mArms-20 mArms）

精度通常±（10%+10µArms）試験周波数≦1 MHz：技術指標

テスト周波数>1 MHz：標準

一定1±（6%+10µArms）試験周波数≦1 MHz：技術指標

テスト周波数>1 MHz：標準

出力インピーダンス：100Ω（公称値）

テスト信号レベル監視機能

-テスト信号の電圧と電流を監視できます。

-レベル監視精度：

表8.試験信号電圧監視精度（Vac）

試験信号電圧2試験周波数技術指標

>1 MHz±（示度の6%+1 mVrms）

表9.試験信号電流監視精度（lac）

試験信号電流2試験周波数技術指標

50 µArms - 20 mArms ≤ 1 MHz

>1メガヘルツ

±（示度の3%＋5µArms）

±（示度の6%＋10µArms）

1.自動レベル制御機能がオンの場合。

2.これは出力値ではなく、表示されるテスト信号レベルです。

有効な測定範囲については、図1のインピーダンスを参照してください

測定精度の例。

表10.許容測定値表示範囲

パラメータ測定表示範囲

Cs、Cp ± 1.000000 aF から 999.9999 EF

D±0.000001から9.999999

Q±0.01〜99999.99

R、Rs、Rp、X、Z、Rdc±1.00000 a№から999.9999 E№

G、B、Y±1.00000 aSから999.9999 ES

Vdc ±1.000000 aV 至 999.9999 EV

Idc±1.000000aA至 999.9999 EA

qr±1.00000 aradから3.141593 rad

qd±0.0001度至 180.0000 deg

∆%±0.0001%から999.9999%

a： 1 x 10-18、E:1 x 1018

ぜったいそくていせいど

絶対精度は以下の方程式を用いて計算される。

｜Z｜、｜Y｜、L、C、R、X、G、Bの絶対精度Aa（Dx≦0.1の場合、L、C、X、Bの精度が適切である

Dx≧0.1の場合、Acalで√1+D 2 xを乗算し、L、C、X、B精度を得る

Qx≧0.1の場合、Acalで√1+Q 2 xを乗算し、RとG精度を得る

交流磁場では、以下の式を用いて測定精度を計算することができる。

A x（1+B x（2+0.5/Vs））

但し、A絶対精度

B磁気誘導強度[Gauss]

Vsテスト信号電圧レベル[V]

方程式1：Aa＝Ae＋Acal

Aa絶対精度（示度の%）

Ae相対精度（示度の%）

Acal校正精度（%）

ただし、G精度はG-B測定にのみ適用されます。

D精度（Dx≦0.1の場合）

Dxで測定したD値

De Dの相対精度

qcal qの較正精度（ラジアン）

0.1<Dx≦1の場合、qcalで（1+Dx）を乗算する

Q精度（Qx×Da<1の場合）

方程式3：（Qx 2×Da）

± ————————————

（1±Qx×Da）

Qx測定Q値

Da Dの絶対精度

q精度

方程式4：qe+qcal

qe qの相対精度（角度）

qcal qの校正精度（角度）G精度（Dx≦0.1の場合）

方程式5：Bx＋Da（S）

1

BX=2πfcx=--------

2πfLx

Dxで測定したD値

Bxで測定したB値（S）

Da Dの絶対精度

f測定周波数（Hz）

Cxで測定したC値（F）

Lxで測定したL値（H）

ここで、G精度はCp−G測定に適している。

Rpの絶対精度（Dx≦0.1の場合）

方程式6：Rpx×Da

±—————————（Ω）

Dx±Da

Rpx測定Rp値（Ω）

Dxで測定したD値

Da Dの絶対精度

Rsの絶対精度（Dx≦0.1の場合）

方程式7：Xx×Da（Ω）

1

Xx=2πfLx

2πfcx

Dxで測定したD値

Xxで測定したX値（№）

Da Dの絶対精度

f試験周波数（Hz）

Cxで測定したC値（F）

Lxで測定したL値（H）

そうたいせいど

相対精度には、安定度、温度係数、線形度、繰り返し度、および校正補間誤差が含まれる。相対精度は、次のすべての条件を満たすときに規定されます。

–予熱時間：30分

-テストケーブル長：0 m、1 m、2 mまたは4 m（Keysight 16048 A/D/E）

-信号源過負荷の警告は表示されていません。

テスト信号電流が次の表11の値を超えると、LCR表に「信号源過負荷」の警告が表示されます。

表11.

試験信号電圧試験周波数条件1

≤2Vrms–

>2 Vrms≤1 MHz 110 mA或 130 mA-0.0015×交流電圧×（Fm/1 MHz）×

(L_cable + 0.5)，値を小さくする

>1 MHz 70 mA-0.0015×Vac×（Fm/1 MHz）×（L _ケーブル+0.5）

Fm[Hz]試験周波数

L _ cable[m]ケーブル長

-オープンおよびショート補正が行われました。

-バイアス電流分離：オフ

-直流バイアス電流が各直流バイアス電流範囲内の設定値を超えない

-測定デバイスのインピーダンスを有効測定範囲と一致させることにより、最適なインピーダンス範囲を選択します。

｜Z｜、｜Y｜、L、C、R、X、G、B精度（Dx≦0.1の場合、L、C、X、B精度が適用される、Qx≦0.1の場合、RとG精度が適用される）

Dx>0.1の場合、A eに√1+D 2 xを乗算し、L、C、X、Bの精度を得る

相対精度Aeは次のように計算される：

方程式8：Ae＝［Ab＋Zs／｜Zm｜×100＋Yo×｜Zm｜×100］×Kt

Zm被測定素子のインピーダンス

Ab基本精度＃Abキホン精度＃（Ab Base Precision）＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃（Ab）＃（Ab）（Ab）（Ab）（Ab）（Ab）（Ab）（A

Zs短絡バイアス

Yoオープンバイアス

Kt温度係数

D精度

Dx≦0.1の場合、D精度Deは次式で計算される：

方程式9：De=±Ae/100

Dxで測定したD値

Ae｜Z｜、｜Y｜、L、C、R、X、G、Bの相対精度

0.1<Dx≦1の場合、De乗算（1+Dx）

Q精度Qeは次式で計算する：

方程式10：（Qx 2×De）

Qe=±--------------------------

（1±Qx×De）

Qx測定Q値

De相対D精度

q精度

方程式11：180×Ae

qe=（度）

π × 100

Ae｜Z｜、｜Y｜、L、C、R、X、G、Bの相対精度

G精度（Dx≦0.1の場合）

G精度Geの次式計算：

方程式12：Ge＝Bx×De（S）

1

BX=2πfcx=--------

2πfLx

Ge G相対精度

Dxで測定したD値

Bxで測定したB値

De D相対精度

f試験周波数（Hz）

Cxで測定したC値（F）

Lxで測定したL値（H）

Rp精度（Dx≦0.1の場合）

方程式13：Rpx×De（Ω）

Rpe=±----------------------

Dx±De

Rpe Rp相対精度

Rpx測定Rp値（№）

Dxで測定したD値

De Dの相対精度

Rs精度（Dx≦0.1の場合）

Rs精度Rse次式計算：

方程式14：Rse = Xx × De（Ω）

1

Xx=--------------=2πfLx

2πfcx

Rse Rsの相対精度

Dxで測定したD値

Xxで測定したX値（№）

De Dの相対精度

f試験周波数（Hz）

Cxで測定したC値（F）

Lxで測定したL値（H）

C-D精度計算例

測定条件

測定したC値：100 nF

試験信号電圧：1 Vrms

測定時間モード：MED

測定温度：23°C

抗体=0.05%

|Zm|=1/（2π×1×103×100×10-9）=1590Ω

Zs=0.6 mΩ ×（1+0.400/1）×（1+√（1000/1000）＝1.68 mΩ

Yo=0.5ナノ秒×（1+0.100/1）×（1+√（100/1000）=0.72ナノ秒

C 精度：Ae=[0.05+1.68 m/1590×100+0.72 n×1590×100]×1=0.05%

被測定デバイスのインピーダンスの効果

表14.被測定デバイスのインピーダンスが30Ω未満の場合は、以下の値を添加する。

試験周波数[Hz]測定デバイスインピーダンス

1.08Ω≤|Zx|<30Ω|Zx|<1.08Ω

1 m～2 m 0.10%0.20%

表15.測定デバイスのインピーダンスが9.2 kΩより高い場合は、以下の値を添加する。

試験周波数[Hz]測定デバイスのインピーダンス

9.2 kΩ<|Zx|≤92 kΩ92 kΩ<| Zx|

10k-100k 0%0.05%

100 k-1 M 0.05%0.05%

ヶーブル延長の効果

ケーブルが延長されると、1メートルごとに次の要素が追加されます。

0.015×（Fm/1 MHz）2×（L _ケーブル）2

Fm[Hz]試験周波数

短絡バイアスZs

表16.測定デバイスインピーダンス>1.08№

テスト

周波数[Hz]

測定時間モード

短い、中、長い

Ω ×（1+0.400/Vs）×

（1+√（1000/Fm））

0.6 mΩ×（1+0.400/Vs）×

（1+√（1000/Fm））

表17.

テスト

周波数[Hz]

測定時間モード

短い、中、長い

20～2メートル1メートルΩ ×（1＋1／Vs）×（1＋√（1000／Fm））0.2 mΩ×（1+1/Vs）×（1+√（1000/Fm））

Vs[Vrms]テスト信号電圧：Vs[Vrms]テスト信号電圧：Vsテスト信号電圧：Vsテスト信号電圧：Vsテスト信号電圧：Vrmsテスト信号電圧：Vsテスト信号電圧：Vrmsテスト信号電圧：Vsテスト信号電圧：Vrm

Fm[Hz]試験周波数

ヶーブル延長の効果（短絡バイアス）

表18.ケーブルが延長されると、Zsは以下の値を増加します（測定時間モードに関係なく）。

テスト

周波数[Hz]

ケーブル長

0メートル1メートル2メートル4メートル

20～1メートル0.25メートルΩ 0.5 mΩ 1 mΩ

1メートル-2メートル0メートルΩ 2 mΩ 4 mΩ

オープンバイアスYo

表19.試験信号電圧≦2.0 Vrms

テスト

周波数[Hz]

測定時間モード

短い、中、長い

20-100 k 2 nS×（1+0.100/Vs）×（1+√（100/Fm））0.5 nS×

100 k-1 M 20 nS×（1+0.100/Vs）5 nS×

1 M-2 M 40 nS×（1+0.100/Vs）10 nS×

表20.試験信号電圧>2.0 Vrms

テスト

周波数[Hz]

測定時間モード

短い、中、長い

測定精度

以下のインピーダンス測定計算例は、絶対測定精度の結果である。

図1.インピーダンス測定精度（試験信号電圧＝1 Vrms、ケーブル長＝0 m、測定時間モード＝MED）

ほしょうきのう

表28.E 4980 Aは、オープン補償、ショート補償、負荷補償の3つの補償機能を提供しています。

補償タイプの説明

開放補償補償試験治具の浮遊アドミタンス（C，G）による誤差。

短絡補償試験治具の残留インピーダンス（L，R）による誤差。

リストスキャン

ポイント数：最大ポイント数は201ポイント。

最初の走査パラメータ（一次パラメータ）：試験周波数、試験信号電圧、試験信号電流、直流バイアス信号の試験信号電圧、直流バイアス信号の試験信号電流、直流電源電圧。

2番目の走査パラメータ（2次パラメータ）：なし、インピーダンス範囲、試験周波数、試験信号周波数、試験信号電圧、試験信号電流、直流バイアス信号の試験信号電圧、直流バイアス信号の試験信号電流、直流電源電圧

トリガモード

シーケンスモード：E 4980 Aがトリガされると、すべての走査点でデバイスが測定されます。/EOM/INDEXは1回だけ出力されます。

ステップモード：E 4980 Aがトリガされるたびにスキャンポイントが増加します。各ポイントで/EOM/INDEXが出力されますが、リストスキャンのコンパレータ機能は最後の/EOM出力後にのみ結果を提供します。

説明

試験信号電圧と試験信号電流の組み合わせ、または直流バイアス信号の試験信号電圧と直流バイアス信号の試験信号電流の組み合わせの1つを設定することはできません。

二次パラメータはSCPIコマンドでのみ設定できます。

リストスキャンのコンパレータ機能：コンパレータ機能により、測定ポイントごとに1対の上下限値を設定できます。

選択できます：1つ目のスキャンパラメータによる判断／2つ目のパラメータによる判断／ペアごとに使用しない

制限値

タイムスタンプ機能：シーケンスモードでは、FWがトリガ信号を検出した時間を0と定義して、各

ポイントでの測定開始時間を測定し、SCPIコマンドで取得します。

コンパレータ機能

Binソート：一次パラメータは9個のBIN、OUT _ OF _ BINS、AUX _ BIN、LOW _ C _

REJECT。2次パラメータはHIGH、IN、LOWの順にソートされます。ソートモードとしてシーケンスモードとマージンモードを選択できます。

制限値設定：絶対値、偏差値、%偏差値を設定に使用できます。

BINカウント：0から999999まで記録できます。

ちょくりゅうバイアスしんごう

表29.テスト信号電圧

範囲0 V〜+2 V

精度 0.1% + 2 mV（23°C±5°C）

（0.1%+2 mV）×4

（0〜18°C又は28〜55°C）

出力インピーダンス：100№（公称値）

ほじょそくていきのう

データキャッシュ機能：ロットごとに最大201個の測定結果を読み取ることができる。

保存/呼び出し機能：

-USBメモリに書き込み、またはその中から最大10の設定条件を読み出すことができます。

-設定条件をUSBメモリのレジスタ10に書き込むと、オートコール機能が実行されます。

キーロック機能：フロントパネルのキーをロックできます。

GPIB：ピンD-Sub（D-24型）、雌頭、IEEE 488.1、2、SCPI準拠

USBホストポート：汎用シリアルバスソケット、Type-A（4つの接点位置、接点1は左側）、

雌ヘッド（USBメモリのみ接続）。

USBインタフェースポート：汎用シリアルバスソケット、Type Mini-B（4つの接点位置）、USBTMC-USB 488とUSB 2.0の基準を満たす、外部コントローラとの接続に使用します。

USBTMC：USBテストと測定分類の略語

LAN：10/100 BaseTイーサネット、8ピン（2つの速度オプション）

LXI整合性：Cクラス（硬化ソフトウェアバージョンA.02.00以降のデバイスにのみ適用）

説明

以下のUSBメモリを使用することができます。

USB 1.1基準を満たす、大容量メモリ種別、

FAT 16／FAT 32フォーマット、最大消費電流は500 mAを下回った。

（Keysight PN 1819-0637）と16 GB USBフラッシュ

保存（Keysight PN 1819-1235）。

E 4980 Aの使用を推奨するUSBメモリを使用して、

そうしないと、以前保存したデータが消去される可能性があります。もしあなたが

推奨されているUSBメモリを使用している場合、データがない可能性があります

メソッドは正常に保存または呼び出されます。

E 4980 Aの使用によるUSBメモリデータの紛失については、独科学技術は責任を負わない。

頻度オプション

E 4980 AL-032 20ヘルツ至 300 kHz

E 4980 AL-05220ヘルツ至 500 kHz

E 4980 AL-102 20 Hzから1 MHz

表30.インストール可能オプション

オプションE 4980 A E 4980 AL

電源装置とDCバイアスの強化（001）インストール不可

DCR測定（200）取付可能1取付不可2

ハンドインタフェース（201）取付け可能取付け可能

スキャナインタフェース（301）インストール可能

オプション201（マニピュレータインタフェース）

ハンドインタフェースを追加します。

オプション301（スキャナインタフェース）

スキャナインタフェースを追加します。

オプション710（インタフェースなし）

インタフェースのオプションはありません。

背面パネルのインタフェースコネクタには、最大2つのインタフェースオプションを取り付けることができます。

インタフェースをインストールしない場合は、2つのオプション710をインストールします。インタフェースをインストールするときに、オプション番号のインタフェースと1

その他のオプション

オプション001（電源および直流バイアス強化）

試験信号の電圧を増加させ、可変直流バイアス電圧を増加させる。

オプション007（標準モデル）

エントリレベルのモデルを標準モデルにアップグレードします（E 4980 AUのみ）。

オプション200（DCR測定）

DCR測定を追加します。

1.必須オプション

2.デフォルトではDCR測定機能が搭載されています。

説明

に表示されています。

説明

E 4980 A-200/001とE 4980 AL-032/052/102はDCR測定機能をサポートしている。

電源およびDCバイアス強化技術指標

試験信号電圧を高め、可変直流バイアス電圧機能を高める。

Vdc-IDc測定機能はオプション001をインストールした後に提供される。

測定パラメータ

次のパラメータを使用できます。

－ Lp-Rdc

–Ls Rdc

–Vdc Idc

その中

Rdc直流抵抗（DCR）

Vdc直流電圧

Idc直流電流

テスト信号

しんごうレベル

表31.テスト信号電圧

0 Vrmsから15 Vrms（試験周波数＞1 MHz）

分辨率 100 µVrms（0 Vrms-0.2 Vrms）

200µVrms（0.2 Vrms-0.5 Vrms）

500µVrms（0.5 Vrms-1 Vrms）

1 mVrms（1 Vrms-2 Vrms）

2 mVrms（2 Vrms-5 Vrms）

5 mVrms（5 Vrms-10 Vrms）

10 mVrms（10 Vrms-20 Vrms）

設定精度通常±（10%+1 mVrms）（試験信号電圧≦2 Vrms）

（試験周波数≦1 MHz：技術指標、試験周波数＞1 MHz：典型値）

±（10%＋10 mVrms）（試験周波数≦300 kHz、

試験信号電圧>2 Vrms）（技術指標）

±（15%＋20 mVrms）（試験周波数＞300 kHz、

（試験周波数≦1 MHz：技術指標、試験周波数＞1 MHz：典型値）

一定1±（6%+1 mVrms）（試験信号電圧≦2 Vrms）

（試験周波数≦1 MHz：技術指標、試験周波数＞1 MHz：典型値）

±（6%＋10 mVrms）（試験周波数≦300 kHz、

試験信号電圧>2 Vrms）（技術指標）

±（12%＋20 mVrms）（試験周波数＞300 kHz、

試験信号電圧>2 Vrms）（試験周波数≦1 MHz：技術指標、

テスト周波数>1 MHz：標準）

1.自動レベル制御機能がオンの場合。

しけんしんごうでんりゅう

範囲0 Arms-100 mArms

解像度1µArms（0 Arms-2 mArms）

2µArms（2 mArms-5 mArms）

5µArms（5 mArms-10 mArms）

10µArms（10 mArms-20 mArms）

20µArms（20mrms-50mrms）

50µArms（50 mArms-100 mArms）

設定精度通常±（10%+10µArms）（試験信号電圧≦20 mArms）

（試験周波数≦1 MHz：技術指標、試験周波数＞1 MHz：典型値）

±（10%＋100µArms）（試験周波数≦300 kHz、

試験信号電流>20 mArms）（技術指標）

±（15%＋200µArms）（試験周波数＞300 kHz、

試験信号電圧>20 mArms）（試験周波数≦1 MHz：技術指標、

一定1±（6%+10µArms）（試験信号電圧≦20 mArms）

（試験周波数≦1 MHz：技術指標、試験周波数＞1 MHz：典型値）

±（6%＋100µArms）（試験周波数≦300 kHz、

試験信号電圧>20 mArms）（技術指標）

±（12%＋200µArms）（試験周波数＞300 kHz、

試験信号電圧>20 mArms）（試験周波数≦1 MHz：技術指標、

テスト周波数>1 MHz：標準）

テスト信号レベル監視機能

-テスト信号電圧とテスト信号電流を監視できます。

表33.試験信号電圧監視精度（Vac）

試験信号電圧2試験周波数技術指標

5 mVrmsから2 Vrms≦1 MHz±（示度の3%＋0.5 mVrms）

>1 MHz±（示度の6%+1 mVrms）

>2 Vrms≦300 kHz±（示度の3%+5 mVrms）

>300 kHz±（示度の6%+10 mVrms）3

表34.試験信号電流監視精度（Iac）

50µArmsから20 mArms≦1 MHz±（示度の3%＋5µArms）

>1 MHz±（示度の6%＋10µArms）

>20 mArms≦300 kHz±（示度の3%＋50µArms）

>300 kHz±（示度の6%+100µArms）

1.自動レベル制御機能がオンの場合。

2.これは出力値ではなく、表示されるテスト信号レベルです。

3.試験周波数＞1 MHz、試験信号電圧＞

10 Vrmsの場合の典型的な値。

ちょくりゅうバイアスしんごう

テスト信号電圧

範囲–40 Vから+40 V

解像度設定解像度：100µV、有効解像度：

330 µV ±(0 V - 5 V)

2ミリボルト±（10ボルト-20ボルト）

5ミリボルト±（20ボルト-40ボルト）

精度試験信号電圧≦2 Vrms 0.1%＋2 mV（23°C±5°C）

（0.1%+2 mV）x 4

（0〜18°C又は28〜55°C）

試験信号電圧>2 Vrms 0.1%+4 mV（23°C±5°C）

（0.1%+4 mボルト）x 4

（0〜18°C又は28〜55°C）

表36.しけんしんごうでんりゅう

解像度設定解像度：1µA、有効解像度：

3.3 µA ±(0 A - 50 mA)

10µA±（50 mA-100 mA）

直流バイアス電圧レベルモニタVdc

（示度の0.5%＋60 mV）×Kt

Vdc-IDc測定を使用する場合：（技術指標）

Kt温度係数

直流バイアス電流レベル監視Idc

（測定値のA[%]＋B[A]）×Kt

Vdc-IDc測定を使用する場合：（技術指標）

レベル監視を使用する場合：（標準）

A[%]測定時間モードがSHORTの場合：2%

測定時間パターンがMEDまたはLONGの場合：1%

B［A］は以下に示す

Kt温度係数

試験信号電圧≦0.2 Vrms（測定時間モード＝MED、LONG）

ちょくりゅうバイアス

でんりゅうはんい

インピーダンス範囲[Ω]

<100 100 300，1k 3k，10k 30k，100k

20 µA 150 µA 30 µA 3 µA 300 nA 45 nA

200 µA 150 µA 30 µA 3 µA 300 nA 300 nA

2ミリアンペア150ミリアンペア30ミリアンペア3ミリアンペア3ミリアンペア

20ミリアンペア150ミリアンペア30ミリアンペア30ミリアンペア

100ミリアンペア150ミリアンペア150ミリアンペア

表38.0.2 Vrms<試験信号電圧≦2 Vrms（測定時間モード＝MED、LONG）

ちょくりゅうバイアス

でんりゅうはんい

インピーダンス範囲[Ω]

<100 100、300 1k、3 k 10k、30 k 100k

20 µA 150 µA 30 µA 3 µA 300 nA 45 nA

200 µA 150 µA 30 µA 3 µA 300 nA 300 nA

2ミリアンペア150ミリアンペア30ミリアンペア3ミリアンペア3ミリアンペア

20ミリアンペア150ミリアンペア30ミリアンペア30ミリアンペア

表39.試験信号電圧>2 Vrms（測定時間モード＝MED、LONG）

ちょくりゅうバイアス

でんりゅうはんい

インピーダンス範囲[Ω]

≤300 1k、3k 10k、30k 100k

20 µA 150 µA 30 µA 3 µA 300 nA

200 µA 150 µA 30 µA 3 µA 300 nA

2 mA 150 µA 30 µA 3 µA 3 µA

20 mA 150 µA 30 µA 30 µA 30 µA

100 mA 150 µA 150 µA 150 µA 150 µA

表40.

入力インピーダンス条件

0№以下の条件を除く。

20№試験信号電圧≦0.2 Vrms、インピーダンス範囲≧3 k№、直流バイアス電流範囲≦200µA

試験信号電圧≦2 Vrms、インピーダンス範囲≧10 k№、直流バイアス電流範囲≦200µA

試験信号電圧>2 Vrms、インピーダンス範囲=100 k№、直流バイアス電流範囲≦200µA

直流電源信号

表41.テスト信号電圧

範囲–10 V～10 V

精度 0.1% + 3 mV（23°C±5°C）

（0〜18°C又は28〜55°C）

表42.しけんしんごうでんりゅう

範囲–45 mA～45 mA（公称値）

出力インピーダンス

100№（公称値）

直流抵抗（Rdc）測定機能は、E 4980 A-001/200またはE 4980 AL-032/052/102をインストールした後に提供されます。

直流抵抗（Rdc）精度

絶対測定精度Aa

絶対測定精度Aa押下式計算

方程式15：Aa＝Ae＋Acal

Aa絶対精度（示度の%）

Ae相対精度（示度の%）

相対測定精度Ae

相対測定精度Aeの次式計算

方程式 16：Ae=[Ab+（Rs/|Rm|+Go×|Rm|）×100]×Kt

Rm測定値

Ab基本精度＃Abキホン精度＃（Ab Base Precision）＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃＃（Ab）＃（Ab）（Ab）（Ab）（Ab）（Ab）（Ab）（A

Rs 短路偏置 [Ω]

Goオープンバイアス［S］

Kt温度係数

キャリブレーション精度Acal

較正精度Acalは0.03%であった。

基本精度Ab

表43.基本精度Abは以下に示す。

時間モード測定信号電圧

≤2Vrms>2Vrms

中0.30%0.60%

オープンバイアスGo

表44.開放バイアスGoは以下に示す。

時間モード測定信号電圧

≤2Vrms>2Vrms

MED 10 nS 100 nS

短絡バイアスRs

短絡バイアスRsは以下に示す。

時間モード測定信号電圧

≤2Vrms>2Vrms

ショート25メートルΩ 250 mΩ

MED 5 mΩ 50 mΩ

ケーブル長の効果（短絡バイアス）

表46.ケーブルが延長されると、Rsには以下の値が追加されます。

ケーブル長

1メートル2メートル4メートル

0.25メートルΩ 0.5 mΩ 1 mΩ

温度係数Kt

表47.温度係数Ktは以下に示す。

温度[°C]Kt

0 - 18 4

18 - 28 1

28 - 55 4

電源

周波数47 Hz-63 Hz

消費電力最大150 VA

表49.作業環境

温度0-55°C

湿度（≤40°C、凝縮なし）15%-85%RH

標高0メートル～2000メートル

表50.ストレージ環境

湿度（≤60°C、凝縮なし）0%-90%RH

標高0メートル～4572メートル

外寸法：375（幅）x 105（高さ）×390（奥行き）ミリメートル（公称値）

有効ピクセルは99.99%を超えています。0.01%（約7

個のピクセル）またはそれ以下のピクセルが失われたり、常に明るくなったりしますが、これは理由ではありません

障壁。

図6.寸法（側面図、ハンドルとバッファがあり、単位はミリ、公称値）

サイズ（側面図、ハンドルとバッファなし、単位はミリ、公称値）

重量：5.3 kg（公称値）

ディスプレイ：LCD、320×240（ピクセル）、RGBカラー

次の項目を表示できます。

-測定値

-測定条件

–コンパレータ制限値と判断結果

-リストスキャンテーブル

-セルフテストメッセージ

電磁互換性

EU理事会指令2004/108/EC

IEC 61326-1:2012

EN 61326-1:2013

CISPR 11:2009+A1:2010

EN 55011:2009+A1:2010

グループ1、クラスA

IEC 61000-4-2:2008

EN 61000-4-2:2009

4 kV CD/8 kV AD

iec61000-4-3:2006+A1:2007+A2:2010

EN 61000-4-3:2006+A1:2008+A2:2010

3 V/m，80-1000 MHz，1.4-2.0 GHz/1V/m，2.0-2.7 GHz，80%AM

iec61000-4-4:2004+A1:2010

EN 61000-4-4:2004+A1:2010

1 kV 电源线/0.5 kV 信号线

IEC 61000-4-5:2005

EN 61000-4-5:2006

0.5 kV線間電圧/1 kV線地電圧

IEC 61000-4-6:2008

EN 61000-4-6:2009

3 V，0.15-80 MHz，80%AM

IEC 61000-4-8:2009

EN 61000-4-8:2010

30A/m，50/60Hz

IEC 61000-4-11:2004

EN 61000-4-11:2004

0.5～300回、0%/70%

説明：

計器周波数が送信された干渉信号試験周波数（キャリア周波数周辺の周波数及び変調周波数周辺の周波数）と同じでない限り、EN 61000-4-3に基づいて3 V/m条件下で測定する場合、測定精度は耐干渉度試験周波数範囲全体で技術指標に合致する。

AS/nzscispr11:2004

グループ1、クラスA

グループ1、クラスA

安全

EU理事会指令2006/95/EC

IEC 61010-1:2001/EN 61010-1:2001

測定種別I、汚染度2、室内使用

IEC 60825-1：1994 1クラスLED

CAN/CSA C22.2 61010-1-04

測定種別I、汚染度2、室内使用

環境

本製品はWEEE命令（2002/96/EC）に準拠している

要求する。このラベルを貼り付けると、本電気/電子製品を生ごみに捨てないでください。

製品分類：WEEEによる

指令付録Iにおける機器タイプ分類は、本製品が「監視機器」カテゴリに属する。

表51.試験頻度設定時間

5ms Fm≥1kHz

12ミリ秒1キロヘルツ>Fm≧250ヘルツ

22 ms 250ヘルツ>Fm≧60ヘルツ

表52.試験信号電圧設定時間

試験信号電圧設定時間試験周波数（Fm）

11ms Fm≥1kHz

18ミリ秒1キロヘルツ>Fm≧250ヘルツ

26 ms 250ヘルツ>Fm≧60ヘルツ

48ミリ秒60ヘルツ>周波数変調

インピーダンスレンジ切替時間は以下の通りである：

≤5 ms/レンジ切替

測定回路保護

最大放電耐性電圧は以下に示す。このパラメータは、帯電容器が未知の端子に接続されている場合に、内部回路の最も

表53.さいだいほうでんたいでんあつ

最大放電耐圧測定素子の容量値Cの範囲

1000 V C<2µF

√2/C V 2µF≤C

補足情報

説明

機器を損傷しないように放電を行う。

図8.さいだいほうでんたいでんあつ

———

0

200

400

600

800

1000

1200

1.E–15 1.E–13 1.E–11 1.E–09 1.E–07 1.E–05 1.E–03

電圧[V]

定義

これは、ハンドインタフェース上のトリガと測定終了（EOM）出力の間の時間です。

条件

表54は、以下の条件を満たすときの測定時間を示している：

-Ls-Rdc、Lp-Rdc、Vdc-Idc以外の通常のインピーダンス測定

-インピーダンスレンジモード：レンジ保持モード

-直流バイアス電圧レベル監視：オフ

-直流バイアス電流レベル監視：オフ

-トリガ遅延：0 s

-ステップ待ち時間：0 s

–キャリブレーションデータ：オフ

表54.E 4980 A測定時間[ms]（直流バイアス：オフ）

測定時間

パターン

テスト周波数

20 Hz 100 Hz 1 kHz 10 kHz 100 kHz 1 MHz 2 MHz

1本の長さ480、300、240、230、220、220

2医学380 180 110 92 89 88

3短330 100 20 7.7 5.7 5.6

図9.測定時間（E 4980 A、直流バイアス：オフ）

20 100 1k 10k 100k 1M 2M

0.01

0.001

0.1

1

10

試験周波数[Hz]

測定時間[秒]

1.長い

2.で

3.短い

測定時間パターン試験周波数

20 Hz 100 Hz 1 kHz 10 kHz 100 kHz 1 MHz 2 MHz

1長さ1190 650 590 580 570 570 570

2医学1150 380 200 180 180 180

3短1040 240 37 25 23 23

図10.測定時間（直流バイアス：オフ、E 4980 A-005）

表56.E 4980 AL測定時間［ms］

時間パターンの測定頻度の測定方法（Test Frequency of Time Mode）：1/2（2）：2（2）：2（2）：3（2）：3（2）：3（2）：3（2）：3）：3（2）

20ヘルツ100ヘルツ1キロヘルツ10キロヘルツ100キロヘルツ1メガヘルツ

長さ1 729 423 363 353 343 343

医学博士650 250 140 122119 118

図11.測定時間（E 4980 AL）

20 100 1k 10k 100k 1M 2M

0.01

0.001

0.1

1

10

試験周波数[Hz]

測定時間[秒]

1.長い

2.で

3.短い

20 100 1k 10k 100k 1M 2M

0.01

0.001

0.1

1

10

試験周波数[Hz]

測定時間[秒]

1.長い

2.で

3.短い

説明

直流バイアスがオンになると、次の時間が増加します。

表57.直流バイアスオン時に増加する時間［ms］

テスト周波数

20 Hz 100 Hz 1 kHz 10 kHz 100 kHz 1 MHz 2 MHz

30 30 10 13 2 0.5 0.5

平均数が増加すると、測定時間は次式で計算される

方程式17：MeasTime+（Ave–1）×AveTime

MeasTime表53および54に基づいて計算された測定時間

Ave平均

AveTimeは表56を参照

表58.平均数を求めた場合の増加時間[ms]

測定

時間モード

テスト周波数

20 Hz 100 Hz 1 kHz 10 kHz 100 kHz 1 MHz 2 MHz

短評51 11 2.4 2.3 2.3 2.2 2.2

医学110 81 88 87 85 84

長さ210、210、220、220、210

表59.Vdc-IDcを選択した場合の測定時間[ms]

測定時間パターン試験周波数

20 Hz 100 Hz 1 kHz 10 kHz 100 kHz 1 MHz 2 MHz

短い210 46 14 14 14 14 14

長さ410 410 410 410

複数の平均ごとに同じ試験時間を増やす

VdcとIdc監視機能がオンになったときに増加する測定時間。

表59のSHORTモードを追加する。VdcまたはIdcのみを使用する場合、表59中のShortモードの半分を追加する場合

表60.Ls-RdcまたはLp-Rdcを選択した場合の測定時間[ms]

測定時間パターン試験周波数

20 Hz 100 Hz 1 kHz 10 kHz 100 kHz 1 MHz 2 MHz

短い910 230 43 24 22 22

医学1100 450 300 280 270

長さ1400 820 700 670 660 650

複数平均ごとに、表58において増加した時間の3倍の時間を増加させる

空白ページが表示されている場合を除き、各ページの表示を更新するために必要な時間（表示時間）を以下に示します。変更中

画面を表示すると、描画時間と切り替え時間が増加します。測定は約100 msごとに更新されることを示した。

表61.時間を表示する

プロジェクトがVdc、Idcの場合

監視シャットダウン時

Vdc、Idc

MEAS DISPLAYページ描画時間10 ms 13 ms

MEAS DISPLAYページ（大）描画時間10 ms 13 ms

BIN No.DISPLAYページ描画時間10 ms 13 ms

BIN COUNT DISPLAYページ描画時間10 ms 13 ms

LIST SWEEP DISPLAYページ描画時間40 ms-

表示切り替え時間35 msの測定-

データ転送時間の測定

この表は、次の条件での測定データ転送時間を示しています。測定条件とコンピュータによるデータ転送時間の測定

表62.次の条件で転送時間を測定します。

ホストコンピュータ：HP Z 420ワークステーション、Xeon CPU ES-1620@3.60 GHz

ディスプレイ：オフ

インピーダンス範囲モード：AUTO（過負荷は発生していない。）

オープン/ショート/負荷補償：オフ

テスト信号電圧監視：オフ

表63.測定データ転送時間［ms］

転送フォーマット

使用：FETC？命令

（単点式測定）

データバッファの使用

（リスト走査測定）

コンパレータオープンコンパレータクローズ10点51点128点201点

GPIB ASCII 2 4 13 28 43

ASCIIロングコード2 2 5 15 34 53

二进制 2 2 4 10 21 36

USB ASCII 2 3 8 16 23

ASCII長2 4 9 19 28

二进制 2 2 3 5 9 13

蘭ASCII 3 4 5 12 24 36

ASCIIロングコード3 3 5 13 29 44

バイナリ3 3 5 9 18 26

（1.5 V/2.0 V）：出力電流：最大20 mA

オプション001（電源と直流バイアスの強化）：

直流バイアス電圧：測定デバイスに適用される直流バイアス電圧は次式で計算される：

方程式18：Vdut＝Vb−100×Ib

Vb［V］直流バイアス設定電圧

Ib[A]直流バイアス電流

直流バイアス電流：入力被測定デバイスの直流バイアス電流は次式により計算される：

方程式19：Idut=Vb/（100+Rdc）

Idut［A］直流バイアス電流

Vb［V］直流バイアス設定電流

Rdc[№]被測定素子の直流抵抗

最大直流バイアス電流

表64.

インピーダンスはんい

[Ω]

バイアス電流分離

オン オフ

試験信号電圧≦2 Vrms試験信号電圧>2 Vrms

0.1自動レンジモード：

100ミリアンペア

ホールドレンジモード：

このレンジに適用される値。

20ミリアンペア100ミリアンペア

1 20ミリアンペア100ミリアンペア

10 20ミリアンペア100ミリアンペア

300 2ミリアンペア100ミリアンペア

1k 2mA 20mA

3k 200µA 20mA

10 k 200µA 2 mA

30 k 20µA 2 mA

100 k 20µA 200µA

測定デバイスに直流バイアスを適用すると、絶対精度Abは以下の値を増加する

表65.Fm<10 kHzかつ｜Vdc｜>5 Vの場合のみ

短い、中、長い

0.05%×（100mV/Vs）×（1+√（100/Fm））0.01%×（100mW/Vs）×

Fm[Hz]試験周波数

直流バイアス分離がオンに設定されると、開放バイアスYoは以下の値を増加する。

方程式20：Yo_DCI1×（1+1/（Vs））×（1+√（500/Fm））+Yo_DCI2

Fm[Hz]試験周波数

Vs[V]テスト信号電圧

Yo _ DCI 1,2[S]この値は、テーブル61および62を用いて計算される

Idc[A]直流バイアス分離電流

表66.Yo _ DCI 1値

直流バイアス電流範囲測定時間モード

短い、中、長い

20µA 0 S 0 S

200µA 0.25ナノ秒0.05ナノ秒

2ミリアンペア2.5ナノ秒0.5ナノ秒

20ミリアンペア25ナノ秒5ナノ秒

100ミリアンペア250ナノ秒50ナノ秒

表67.Yo _ DCI 2値

ちょくりゅうバイアスでんりゅう

範囲

測定時間モード

≤100Ω300Ω1kΩ3kΩ10kΩ30kΩ100kΩ

20µA 0秒0秒

200µA 0秒0秒

2ミリアンペア0秒0秒3ナノ秒

20ミリアンペア0秒0秒30ナノ秒30ナノ秒

100ミリアンペア0秒300ナノ秒300ナノ秒

直流バイアス確立時間

直流バイアスをオンに設定すると、セットアップ時間は以下の値を増加します。

表68.直流バイアス確立時間

バイアス確立時間

1標準配置測定素子容量×100×loge（2/1.8 m）＋3 m

2オプション001測定素子容量×100×loge（40/1.8 m）＋3 m

1µF 10µF 100µF 1 mF 10 mF 100 mF

被測定デバイス容量

図セットアップ時間

12.直流バイアス確立時間