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住所
天津市津南区高級精密機器産業園6号棟
天津市九所科学技術発展有限公司
概要
1200℃升华凝华炉是一种利用物质升华与凝华特性实现分离、提纯或制备特定材料的专用设备，其核心原理是通过精确控制温度、压力及气氛条件，使目标物质在固态与气态间直接转换，同时避免液态阶段，从而实现高效纯化或薄膜生长。
製品詳細
1200℃昇華凝華炉
製品概要：
1200℃昇華凝華炉物質の昇華と凝華の特性を利用して、材料の分離、精製または製造を実現する専用設備であり、この設備は新材料、半導体、航空宇宙、化学工業などの分野に広く応用されており、伝統的な設備に比べて、純度が高く、損失が低く、二次汚染がないなどの優位性がある。
この設備は作業中、原料は昇華区で気体状態に昇華し、不純物を離脱した後、凝華区で高純度産物に再凝結し、粉末、塊状材料または機能薄膜を製造することができる。
設備は高精度温度制御システム（温度変動±1℃内）、高効率真空システム（真空度は需要に応じてカスタマイズ）、柔軟な雰囲気制御システム及び高温耐食性炉体を備え、安定した運行と産物の純度を保障する。
この設備の適用場面は非常に広く、半導体、高温合金などの材料を精製し、グラフェンなどの特殊材料を製造し、高価値化合物を分離することができる。
動作原理：
1.1200℃昇華凝華炉の昇華過程：固体物質は特定の温度（融点未満）と圧力（常圧または減圧）で直接気化し、揮発性成分を形成する。
2.輸送過程：ガス状成分は温度勾配駆動下で、高温領域（例えば昇華筒又は粉末領域）から低温領域（例えば凝華筒又は種結晶表面）へ移動する。
3.凝華結晶：揮発性成分が低温域で析出し、格子方向に成長して単結晶（SiC結晶など）または半導体材料などの均一な薄膜を形成する。
主な応用分野：
1. 化学工業製品の精製：昇華特性を持つ物質を分離する。
2.半導体材料の製造：高品質SiC結晶またはミクロン級薄膜（近空間昇華炉）を成長させる。
3.有機小分子精製：高付加価値有機化合物を精製するための実験級装置。
製品の主な詳細展示：
製品の主な技術パラメータ：
