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Zhengzhou Ketan Instrument Equipment Co., Ltd
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    2044525453@qq.com

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    15136134901

  • 住所

    中原区西三環発電所路革新園6号棟

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プロフィール

半導体とナノ電子デバイスの特性評価、トランジスタのオフ状態電流測定、高抵抗材料の抵抗率測定、ナノデバイスの電気特性、走査プローブ顕微鏡などの実験では、デバイスサイズがナノスケールに縮小されたり、材料が非常に薄い場合、リーク電流と測定される電流自体は極めて微小である。このレベルでは、実験者は、熱雑音、ジョン1ソン雑音、振動雑音、さらには空気中の分子イオン化によって発生した電荷を含む、100 fA未満の電流を流すプローブ台を用いて、様々な雑音と干渉と闘う必要がある。