フィルム堆積半導体の主な基板材料に膜をめっきする。この膜は、絶縁化合物シリカ、半導体ポリシリコン、金属銅など、様々な材料を有することができる。めっきに使われるこの装置は薄膜堆積装置と呼ばれている。

半導体チップの製造プロセスの流れから言えば、フロントプロセスに位置している。

フィルム製造方法その成膜方法によって2つの種類に分けることができる：物理蒸着（PVD）及び化学蒸着（CVD）は、その中CVDプロセス設備の比率が高い。

物理蒸着（PVD）材料源の表面を気化し、低圧ガス/プラズマを介して基体表面に堆積することを指し、蒸発、スパッタリング、イオンビームなどを含む、

化学蒸着（CVD）ガス混合による化学反応によりシリコンシート表面に固体膜を堆積するプロセスを指し、反応条件（圧力、前駆体）によって常圧CVD（APCVD）、低圧CVD（LPCVD）、プラズマ増強CVD（PECVD）、高密度プラズマCVD（HDPCVD）と原子層堆積（ALD）に分けられる。