一、半導体業界の真空バルブに対するコア需要

半導体製造プロセスは超高真空（UHV の）、高潔純度、粒子汚染なし環境で行われ、真空バルブは真空システムの “スイッチとレギュレータ”、3つのコア要件を満たす必要があります：①シール性能が良い（漏れ率≤10⁻¹² パ・m³/秒）、空気、水蒸気などの不純物の侵入を避ける、②材質は互換性（金属汚染、低ガス放出率）があり、シリコンシート、フォトレジストなどの敏感材料を配合するのに適している、③応答速度が速く（ミリ秒級スイッチ）、寿命が長い（百万回以上循環）、半導体生産ラインの高生産能力需要にマッチする。

二、重要な応用シーン及びバルブタイプ

1. ウェハ製造コアプロセス

⑴フォトリソグラフィー：リソグラフィ装置の真空チャンバは維持する必要がある10⁻⁶~10⁻⁹ Paの超高真空を採用し、でんじくどうかくべんまたは磁気流体シールゲートバルブ、チャンバとリソグラフィー光源、マスク台の真空隔離を実現し、同時にバルブ開放時に粒子脱落（清浄度）がないことを保証するクラス 1レベル）。また、バルブは正確な流量調整機能を備え、真空抽気システムと合わせてチャンバ圧力を安定させ、リソグラフィパターンの歪みを回避しなければならない。

⑵エッチングプロセス：プラズマエッチングチャンバは真空バルブにより反応ガス（例えばCF₄、O₂）の投入と排出、常用くうきフィルムべんまたは電動ボールバルブこのようなバルブはプラズマ腐食（セラミックスまたはハーシュ合金シール面を採用）に耐え、かつスイッチ動作は油汚染がなく、反応ガスと油汚染反応による不純物の生成を防止し、エッチング精度に影響を与える。

⑶薄膜堆積（PVD／CVD）：物理蒸着（PVD）のスパッタチャンバ、化学蒸着（CVD）の反応チャンバ、必要バキュームプラグバルブまたはバタフライバルブチャンバ分離と真空引きの切り替えを実現する。バルブは急速真空引きの適性（流導係数≥1000 L/s）、同時に材質は低排気（例えば316Lステンレス研磨処理）により、自身が放出したガスがフィルムの純度に影響を与えることを回避する。

2. 真空伝送システム（VTS）

各プロセスデバイス間での半導体ウエハの伝送は、真空伝送チャンバ（ロード ロック）を実現し、真空バルブはここで負担する“大気と真空を隔離する”の重要な役割：①採用きゅうそくしんくうダンパべん、実装ロード ロックチャンバの急速真空引き（大気圧から10⁻³ Paただ30 秒）、②伝送キャビティとプロセスキャビティとの間の真空遮断弁、ゼロ粒子脱落設計を備え、ウエハ表面汚染を避ける必要がある、③部分生産ラインの採用リニアシールバルブ、非接触シールによる摩耗の低減、耐用年数の延長 200 万回以上。

3. 排ガス処理と補助システム

半導体プロセスにより発生する有毒有害排ガス（例えばCl₂、HF）真空バルブを介して排ガス処理設備に導入する必要があり、このようなバルブは耐食性シール構造（例えばフッ素ゴムシール、モネル合金弁体）、排ガス漏れを防止する、

真空抽気システム（分子ポンプ、拡散ポンプ）とプロセスチャンバとの間のフロントバルブ圧力保護機能を備え、チャンバの圧力突然変異によるポンプ本体の損傷を避ける必要がある。

三、半導体業界の真空バルブの技術動向

1.高潔純度と低粒子化：レーザー溶接弁体、無潤滑密封技術を用いて、弁内部粒子の発生量を≤1つぶ/立方米（粒径≥0.1μm）；

2.インテリジェント化とリモート制御：圧力センサ、位置センサを集積し、バルブ状態のリアルタイムモニタリング、故障警報を実現し、半導体生産ラインの自動管理制御需要に適合する、

3.小型化と統合化：先進的なパッケージ、マイクロ LEDなどの分野を細分化し、小型真空バルブを開発し、設備の占用空間を減少させる、

4.劣悪な環境に適合する:対象3nm及び以下の先進技術を用いて、より高温に耐える開発（≥400℃）、より低い漏れ率（≤10⁻¹⁵ Pa・m³/秒）の超高真空バルブ、適合原子層堆積（ALD)などの精密技術を用いている。

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