この顧客は、第3世代半導体サファイア上の窒化ガリウム（GaN on Sapphire）技術向けの専門基板材料サプライヤーである。会社は異なるチップ応用分野とそのエピタキシャル技術特徴に基づいて適切な基板材料の開発を行い、パターン化構造設計、異なる材料の組み合わせ応用、プロセスプロセスの実現などを通じて、窒化ガリウム装置に基板材料の総合ソリューションを提供する。

現在、会社の主な製品は2 ~ 6インチのグラフィカルサファイア基板（PSS）、グラフィカル複合材料基板（MMS）を含み、主に照明、表示、バックライト、Mini/Micro LED、深紫外LEDなどの分野。会社は広東省半導体基板工学技術研究開発センターを設立し、次世代GaN先進光電子デバイス技術をめぐって基板とエピタキシャルの一体化研究開発を行い、GaNパワーデバイス用サファイア基板などの技術研究を展開した。

FR-Scanner膜厚測定器は波長範囲が370-1020 nmの可視光干渉測定であり、12 nm-100 um範囲の膜層厚を測定でき、精度は0.1%または1 nmに達し、精度は0.02 nmであり、プラットフォームの変位精度が高く、多点Mapping測定機能を実現する膜厚測定装置であり、8"サンプルの最速測定速度に基づいて300点毎分に達することができる。